制造商：AMD
　　系列：Am29LV
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：2 Mbit（256 K x 8 / 128 K x 16）
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作电流：典型读取电流 20mA，待机电流 100μA
　　封装：44-SOP
　　引脚数：44
　　组织结构：x8/x16 可配置
　　接口类型：并行
　　写保护功能：有
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程电压：单电源3V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　湿度等级：3
　　可靠性：典型数据保持时间 > 20年，擦写次数 > 100,000 次

AM29LV200BT-90SC具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它是一款低电压工作的NOR Flash存储器，支持2.7V到3.6V的宽电压范围，适应多种电源设计需求，尤其适合使用3.3V供电系统的应用。其90ns的快速访问时间确保了处理器可以直接从该Flash中执行代码（XIP，eXecute In Place），显著提升了系统启动速度与运行效率，避免了将程序加载到RAM的额外步骤。
　　该芯片支持字节/字模式切换，允许用户在x8（字节）和x16（字）两种数据宽度之间灵活配置，增强了与不同微控制器或处理器的兼容性。其内部结构划分为多个扇区（sector），包括多个4KB的小扇区和32KB的大扇区，这种分层式扇区架构使得用户可以精细地管理固件更新，仅修改所需部分而不影响其他区域，有效延长了整体寿命并提高了安全性。
　　在写操作方面，AM29LV200BT-90SC集成了自动编程和自动擦除功能，通过内部定时器控制电压脉冲宽度，减少了对外部控制器的依赖。同时，它提供内建的“擦写完成”状态位查询机制（Toggle Bit和Data# Polling），允许系统实时监控操作进度而无需额外延时，提高了系统响应效率。此外，该器件支持硬件写保护（WP#引脚）和软件写保护命令，防止意外擦写或篡改关键代码，增强了数据安全性。
　　该芯片还具备高可靠性和耐久性，标称可支持超过10万次的擦写周期，数据保存时间超过20年，满足工业级长期稳定运行的要求。其CMOS工艺设计实现了低功耗运行，在待机模式下电流低于100μA，有助于降低系统整体能耗，特别适用于电池供电或绿色节能设备。最后，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适应现代电子产品环保趋势。

AM29LV200BT-90SC广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和调制解调器，用于存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，其快速读取能力保障了设备的快速启动与稳定运行。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC控制器、HMI人机界面、远程I/O模块等设备中，存放控制逻辑和固件代码，其工业级温度范围和高可靠性确保在恶劣环境下长期稳定工作。
　　消费类电子产品如打印机、复印机、POS终端和智能家电也普遍采用该型号存储主控程序，利用其小扇区结构实现固件的局部升级，避免全片擦除带来的风险。汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和车身控制单元，也会使用此类Flash存储配置参数和应用代码，得益于其良好的抗干扰能力和温度适应性。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和军事电子系统中，AM29LV200BT-90SC因其数据保持能力强、擦写寿命长、访问速度快等优势，成为可靠的代码存储解决方案。由于其并行接口结构，特别适用于与DSP、MCU或MPU直接连接的系统架构，支持高速数据传输和实时处理需求。随着Flash技术的发展，虽然部分新型设计转向SPI NOR Flash或串行接口方案以节省引脚资源，但在需要高吞吐量和直接执行代码的场合，AM29LV200BT-90SC仍具有不可替代的价值。

S29AL008D-90-FCI00
　　MBM29LV200BT-90PFVNE1
　　SST39VF200A-90-4C-PHE
　　Intel E28F200J3C-90