制造商：AMD / Spansion
　　系列：Am29LV
　　产品类型：NOR Flash
　　存储容量：32 Mbit (2M x 16)
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-TSOP
　　接口类型：并行（x16）
　　写保护功能：支持硬件写保护
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　待机电流：典型值 20 μA
　　编程电流：典型值 20 mA
　　读取电流：典型值 25 mA
　　可靠性：每扇区可擦写10万次，数据保持期10年以上

AM29LV200BB90EI具备多项先进特性，确保在各种嵌入式应用场景中稳定可靠运行。首先，该器件采用低电压操作设计，电源电压范围为2.7V至3.6V，兼容3.3V系统，显著降低了系统功耗，特别适合电池供电或对功耗敏感的应用。其次，其90ns的快速访问时间使得CPU可以直接从Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序搬移到RAM中运行，从而节省内存资源并提升系统响应速度。
　　该芯片支持扇区擦除和整片擦除功能，允许用户灵活地更新部分固件而不会影响其他区域的数据，提高了软件升级的安全性和效率。每个设备划分为多个可独立擦除的扇区（包括多个4KB小扇区和32KB大扇区），便于实现Boot Block管理，保护关键启动代码不被误修改。此外，内置的硬件写保护功能可通过特定引脚（如RESET#或WP#）锁定存储区域，防止意外写入或擦除操作。
　　MirrorBit技术是该器件的核心创新，通过在每个存储单元中存储两个比特，提高了存储密度并降低了制造成本，同时保持了高可靠性和耐久性。器件还集成了内部电荷泵，能够在编程和擦除操作期间生成所需的高压，无需外部高压电源，简化了电源设计。
　　AM29LV200BB90EI具备高度的电气和机械稳定性，符合工业级温度要求，可在恶劣环境下长期运行。其CMOS工艺保证了低静态功耗，待机电流低至20μA，有助于延长设备使用寿命。此外，该器件支持JEDEC标准命令集，兼容通用Flash编程算法，便于使用标准编程器进行批量烧录。所有这些特性共同使其成为工业控制、网络设备和车载系统中理想的固件存储解决方案。

AM29LV200BB90EI广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面和工业网关中存储固件、配置参数和校准数据，其工业级温度特性和高抗干扰能力确保在工厂环境中长期稳定运行。在通信设备中，该芯片被用于路由器、交换机和基站模块中存放启动代码（Bootloader）和操作系统镜像，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。
　　在消费类电子产品方面，AM29LV200BB90EI可用于数字电视、机顶盒、打印机和智能家居控制面板中，存储用户界面程序和设备驱动，其x16并行接口能够满足中等性能处理器的直接读取需求。在汽车电子系统中，该器件适用于仪表盘控制模块、车载信息娱乐系统（IVI）和ECU（电子控制单元）中，用于保存启动程序和诊断代码，其宽温特性和高可靠性符合汽车级应用的基本要求。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等对数据完整性要求较高的设备中，AM29LV200BB90EI也发挥着重要作用。由于支持扇区级写保护和多次擦写，它可用于记录设备日志、校准信息和安全认证数据。其并行接口结构虽然在现代高速系统中逐渐被串行Flash取代，但在成本敏感且不需要极高带宽的应用中仍具有显著优势。总体而言，该芯片适用于需要中等容量、高可靠性、直接执行代码能力的嵌入式存储场景。

S29AL032D-90-BCI-N
　　S29GL032N90TFIR5
　　CY29LV200EB-90BCTI