制造商：AMD / Spansion
　　系列：AM29LV200B
　　存储容量：2 Mbit
　　组织结构：256 K × 8 / 128 K × 16
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-40, SOIC-44
　　接口类型：并行（x8/x16）
　　编程电压：单电源 3V
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护：硬件 WP# 引脚支持
　　总线宽度：可配置为 x8 或 x16 模式
　　待机电流：< 20 μA（典型值）
　　编程电流：< 20 mA（典型值）
　　封装尺寸：根据具体封装型号而定

AM29LV200BB90EC 具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用 3V 单电源供电设计，操作电压范围为 2.7V 至 3.6V，允许其直接与低电压微控制器和处理器接口，避免了传统闪存所需的双电源或高压编程电路，从而降低了系统复杂度和成本。其次，该器件支持快速随机读取访问时间，典型值为 90ns，能够满足实时操作系统对程序代码执行速度的要求，确保系统的高效响应。
　　该芯片具有灵活的存储组织方式，支持 256K×8 位（字节模式）或 128K×16 位（字模式）两种配置，用户可通过硬件引脚设置选择总线宽度，适应不同的系统架构需求。其内部集成了状态寄存器和内建的算法控制器，可在执行编程或擦除操作期间通过查询 DQ6 和 DQ7 引脚的状态来判断操作是否完成，实现可靠的软件监控机制，防止误操作导致数据损坏。
　　AM29LV200BB90EC 提供了高级别的数据保护功能。它包含一个硬件写保护引脚（WP#），当该引脚拉低时，可以禁止对特定地址区域的写入和擦除操作，有效防止意外修改固件。此外，芯片支持扇区级擦除（共 35 个扇区），允许用户有选择地更新部分代码而不影响其他区域，提高了更新效率并延长了整体寿命。每个扇区可承受至少 10 万次的擦写周期，数据保存时间可达 20 年以上，表现出优异的耐久性和可靠性。
　　在功耗管理方面，该器件具备低功耗待机模式，在未激活状态下电流消耗低于 20μA，适合电池供电或节能型应用。同时，其 CMOS 工艺制造保证了良好的抗噪能力和热稳定性，可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定运行，适用于严苛环境下的长期部署。

AM29LV200BB90EC 被广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制系统，如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和现场总线模块，在这些系统中用于存储固件、配置参数和启动代码。由于其具备快速读取能力和高可靠性，该芯片也常用于网络通信设备，例如路由器、交换机和调制解调器中作为 BIOS 或引导程序的存储介质。
　　在消费类电子产品中，AM29LV200BB90EC 可用于数字电视、机顶盒、打印机和多功能办公设备中，负责存储操作系统映像和用户可升级的应用程序。其支持在线编程的特性使得设备制造商能够通过远程固件更新（FOTA）提升产品功能或修复漏洞，增强了产品的可维护性。
　　此外，该芯片也被应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制单元和车身控制模块（BCM）。在这些应用中，AM29LV200BB90EC 不仅需要承受车辆运行过程中的振动和宽温变化，还必须确保数据在断电后长期不丢失，其工业级温度特性和高数据保持能力正好满足这些要求。
　　在军事和航空航天领域，尽管 newer technologies have largely replaced it, this device was once used in avionics systems and ground control units where long-term data retention and radiation tolerance were critical. Today, while still functional in legacy systems, designers are encouraged to consider modern replacements with higher densities and better performance.

S29AL008D
　　S29GL008C
　　MBM29LV200BT
　　MBM29LV200BE
　　CY29LV200B