时间：2025/12/28 3:01:08
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AM29LV160DB90EC是AMD公司生产的一款16兆位（Mbit）的闪存（Flash Memory）芯片，属于Am29LV系列的低电压、高性能CMOS Flash存储器。该器件采用49引脚TSOP封装或48引脚FBGA封装，适用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统应用。其存储容量为16 Mbit，组织结构为2,097,152字节×8位或1,048,576字×16位，支持字节/字模式访问，适合多种微处理器和微控制器系统的接口需求。该芯片支持单电源供电操作，典型工作电压范围为2.7V至3.6V，具备低功耗特性，因此广泛应用于便携式设备、工业控制、通信设备以及消费类电子产品中。
AM29LV160D系列分为两种型号：AM29LV160DB（Bottom Boot）和AM29LV160DT（Top Boot），其中‘B’表示底部引导扇区结构，即引导代码存储在地址空间的低端区域，有利于系统启动时的安全加载。本型号为AM29LV160DB，因此具有底部引导配置。芯片内部集成了命令寄存器，通过标准的写入命令序列可实现对存储阵列的编程（烧录）和擦除操作。此外，该器件支持扇区擦除、整片擦除以及按字/字节编程功能，并内置了擦除和编程算法，由内部状态机自动管理，提升了操作可靠性并降低了主控处理器的负担。
制造商: AMD
产品系列: Am29LV
存储容量: 16 Mbit
存储结构: 2M × 8 / 1M × 16
工作电压: 2.7V ~ 3.6V
访问时间: 90 ns
封装类型: 49-FSOP 或 48-FBGA
工作温度: -40°C ~ +85°C
编程电压: 内部电荷泵生成
接口类型: 并行异步
引导配置: Bottom Boot (B)
写保护功能: 支持硬件 WP# 引脚
擦除方式: 扇区擦除 / 芯片擦除
编程方式: 字节/字编程
AM29LV160DB90EC具备多项先进特性，确保其在复杂环境下的稳定性和高效性。首先，它采用了先进的MirrorBit技术，这项专利技术允许每个物理存储单元存储两个比特信息，提高了存储密度并降低了单位成本，同时保持良好的数据保持能力和耐久性。该芯片支持至少10万次的编程/擦除周期，数据保存时间可达20年以上，满足工业级长期可靠运行的需求。
其次，该器件具备低功耗运行能力，在读取模式下典型电流消耗仅为15mA，而在待机或备用模式下电流可低至20μA，显著延长电池供电设备的工作时间。此外，芯片集成了内部VPP升压电路，编程所需的高压由内部电荷泵自动生成，无需外部高压电源，简化了系统设计。
在操作安全性方面，AM29LV160DB90EC提供了多种保护机制。包括软件数据保护（Software Data Protection）功能，防止因误操作或非法指令导致的数据损坏；硬件写保护引脚（WP#）可在外部控制对特定扇区的写入权限；此外，还具备上电/掉电复位检测电路，确保在电源不稳定时不会发生意外写操作。
该芯片支持标准的JEDEC接口和命令集，兼容主流微处理器和控制器的并行总线接口，易于集成到现有系统中。其90纳秒的快速访问时间适用于中高速应用场合。内部状态轮询（Status Polling）和跳转完成信号（DQ6/DQ7）可用于实时监控编程或擦除操作进度，提升系统响应效率。同时支持批量编程（Unlock Bypass）命令，加快大规模数据写入速度。
AM29LV160DB90EC广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见应用场景包括工业自动化控制系统中的固件存储，用于保存PLC程序、配置参数和校准数据；在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，作为启动代码（Boot Code）或操作系统映像的存储介质；在医疗设备中用于保存设备固件和患者设置信息，确保断电后数据不丢失。
此外，该芯片也适用于消费类电子产品，例如数字电视、机顶盒、打印机、POS终端等，承担程序存储任务。由于其底部引导扇区结构，特别适合那些要求从低地址开始执行启动代码的系统架构，确保系统上电后能安全、有序地加载引导程序。
在汽车电子领域，尽管该型号非AEC-Q100认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助控制模块中，尤其是在成本敏感且环境条件可控的应用场景下。同时，因其宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在恶劣工业环境中稳定运行。
该器件还常被用作FPGA或DSP的配置存储器，配合CPLD或微控制器实现上电自动加载逻辑设计。其并行接口提供了较高的数据吞吐能力，适合对启动速度有一定要求的应用。总体而言，AM29LV160DB90EC是一款成熟可靠的Flash存储解决方案，适用于中等容量、高稳定性需求的嵌入式系统设计。
S29GL016D90TFIR2
MX29LV160DB-90G
EN29LV160AB-90
