制造商：AMD
　　系列：Am29LV
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：2 Mbit
　　存储结构：256K × 8位
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　最大访问时间：100 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　写保护功能：硬件写保护（WP#引脚）
　　封装类型：32-Pin TSOP, 32-Pin PLCC
　　接口类型：并行接口
　　扇区结构：顶部引导（Top Boot）
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程方式：字节/字编程
　　可靠性：典型数据保持时间 > 20年
　　耐久性：支持至少10万次擦写周期

AM29LV002T-100EC具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它采用3V单电源供电设计，无需额外的Vpp编程电压，简化了电源管理电路，并与现代低电压逻辑系统兼容。内部集成的电荷泵能够自动生成编程和擦除所需的高压，使得用户只需提供标准3V电源即可完成所有写入操作，极大提升了系统设计的便利性。
　　其次，该芯片支持在线系统编程（In-System Programming, ISP）和在电路擦除（In-Circuit Erasure），允许开发者在不拆卸芯片的情况下更新固件或修复错误，显著提高了开发效率和现场可维护性。同时，它具备硬件写保护机制，通过WP#引脚防止意外修改关键代码区域，增强系统安全性。
　　再者，其顶部引导扇区架构将引导代码置于高地址端，确保微处理器在复位后能从正确的地址开始执行程序，特别适合需要可靠启动过程的应用场景。此外，该器件支持按扇区擦除和字节级编程，提供了灵活的数据管理能力，可用于存储频繁变更的小量数据或日志信息。
　　在性能方面，100ns的访问时间足以满足多数中等速度处理器的需求，配合其并行接口可实现较高的数据吞吐率。该芯片还具备良好的环境适应性，工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C ~ +85°C），适用于恶劣环境下的长期运行。
　　最后，AM29LV002T具有出色的耐久性和数据保持能力，标称支持10万次擦写循环和超过20年的数据保存时间，确保长期使用的可靠性。虽然该型号已逐步被新型串行NOR Flash替代，但在某些对并行接口有依赖或需维持原有设计兼容性的场合，依然具有不可替代的价值。

AM29LV002T-100EC广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中，主要用于存储固件、引导代码（Bootloader）、BIOS程序以及系统配置参数。在个人计算机和工控主板中，该芯片常被用作BIOS存储器，负责保存开机自检（POST）程序和基本输入输出设置，其顶部引导结构确保系统上电后能从正确的地址启动，避免启动失败风险。
　　在网络通信设备如路由器、交换机和调制解调器中，该Flash用于存放操作系统映像和配置文件，支持远程固件升级（FOTA或类似机制），提升设备维护效率。由于其支持在系统编程和擦除，非常适合需要现场更新功能的远程部署设备。
　　在工业控制系统中，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和智能仪表，AM29LV002T提供可靠的非易失性存储，用于保存控制逻辑、校准数据和运行日志，即使断电也不会丢失关键信息。
　　此外，该芯片也常见于消费类电子产品，如打印机、POS机、多媒体播放器等，用于存储设备驱动程序、用户界面资源和本地数据库。其稳定的性能和成熟的供应链使其成为许多传统设计中的首选NOR Flash器件。
　　随着技术发展，尽管高速串行Flash（如SPI NOR）逐渐取代并行Flash在新设计中的地位，但AM29LV002T仍在产品维修、备件替换和旧系统延寿项目中发挥重要作用，尤其在军工、铁路、医疗等长生命周期领域具有持续需求。

SST39VF020-100-4C-PHE
　　MBM29LV002TB-100G5E
　　EN29LV002T-100PCE
　　PMC-LP29EE020TC-10