制造商：AMD
　　产品系列：Am29LV
　　存储容量：8 Mbit
　　组织方式：512K x 16
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　封装形式：TSOP-40, PLCC-44
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行
　　写使能：支持
　　擦除方式：扇区擦除 / 整片擦除
　　编程电压：内部电荷泵生成

AM29F800BT-90ED具有多项先进特性，使其在同类非易失性存储器中表现出色。首先，它采用了高效的扇区架构设计，整个存储空间被划分为多个独立的扇区，包括一个4KB的小扇区、三个32KB的中等扇区以及七个64KB的大扇区，总计64个扇区。这种灵活的分区结构允许用户对特定区域进行擦除和重写，而不影响其他部分的数据，极大提升了现场固件更新的安全性和效率。尤其对于需要频繁更新部分代码但保留其余内容不变的应用来说，这种细粒度控制非常关键。
　　其次，该器件支持内建的擦除与编程算法（Embedded Algorithms），包括自动擦除、自动编程和内部校验机制。这些算法由芯片内部的状态机执行，主机只需发送相应的命令序列即可启动操作，无需持续干预。例如，在执行扇区擦除时，控制器会自动完成高压施加、定时控制和验证步骤，并通过状态位反馈操作结果，从而减轻CPU负担并提高系统稳定性。此外，该芯片提供“解锁绕过”（Unlock Bypass）命令，可减少编程操作所需的总线周期数，提升编程速度高达25%以上。
　　再者，AM29F800BT-90ED具备出色的耐久性和数据保持能力。每个扇区可承受至少10万次的擦写循环，确保长期使用的可靠性；同时，编程后的数据可在常温下保存长达20年而不会丢失，适合用于关键系统信息的持久化存储。为了增强抗干扰能力和安全性，芯片还集成了VCC跌落检测电路，当电源电压低于安全阈值时，自动禁止写入操作，防止因电压不稳导致的误编程或数据损坏。
　　最后，该器件兼容JEDEC标准的命令集和电气规范，便于与其他微处理器或控制器对接。支持复用地址/数据总线模式，适用于多种嵌入式架构。其低功耗待机模式（典型电流小于2μA）也使其适用于电池供电或节能型设备。综合来看，AM29F800BT-90ED是一款功能完善、稳定可靠的Flash存储解决方案，特别适合工业级和商业级应用场景。

AM29F800BT-90ED广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业控制系统中，常用于存储PLC固件、人机界面（HMI）程序以及设备配置参数，因其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，可在恶劣环境下长期运行。在通信领域，该芯片被用于路由器、交换机和基站设备中，作为Boot ROM存放启动代码，利用其顶部扇区结构实现安全引导和远程固件升级功能。
　　在消费类电子产品方面，如机顶盒、打印机、多媒体播放器等，AM29F800BT-90ED可用于存储操作系统映像和应用程序代码，支持快速读取和现场升级。其90ns的访问时间能够满足大多数8/16位微控制器的总线时序要求，确保系统启动迅速且运行流畅。
　　此外，在汽车电子系统中，尽管该型号并非AEC-Q100认证器件，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助控制模块中，用于存放导航地图数据、音频固件或诊断程序。由于其支持扇区级写保护和多级权限管理，能够有效防止非法篡改或误操作带来的风险。
　　在医疗设备和测试仪器中，该Flash芯片也扮演着重要角色，用于存储校准数据、测量程序和用户设置，保障设备的一致性和可追溯性。总体而言，AM29F800BT-90ED凭借其稳定的性能、成熟的工艺和广泛的兼容性，成为许多传统嵌入式平台中的首选Flash存储器之一。

S29GL008D90TFIR4
　　MBM29F800TC-90PFVNE
　　IS29F800B-90T