制造商：AMD (Spansion)
　　系列：AM29F200B
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit
　　存储组织：2 Mbyte (262,144 x 8 或 131,072 x 16)
　　接口类型：并行（16 位）
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　最大访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：44 引脚 TSOP Type II 或 48 引脚 FBGA
　　编程电压：内部电荷泵产生所需高压
　　写入/擦除耐久性：典型 100,000 次擦写周期
　　数据保持时间：≥ 20 年
　　待机电流：≤ 200 μA
　　读取电流：≤ 25 mA
　　编程/擦除电流：≤ 30 mA
　　引脚排列：标准 JEDEC 兼容布局
　　擦除方式：支持整片擦除和按扇区擦除（每个扇区 64 Kbyte）
　　写保护功能：支持硬件写保护（通过 Vpp 引脚）

AM29F200BT-90SE 具备多项关键特性，使其在嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先，其 90ns 的快速访问时间允许处理器直接从闪存中执行代码，无需将程序加载到 RAM，从而简化系统设计并降低整体成本。这种 XIP（就地执行）能力对于实时操作系统和固件存储至关重要。其次，该器件支持扇区擦除和整片擦除功能，用户可以灵活地更新部分固件而不影响其他数据区域，提高了系统维护效率。每个扇区大小为 64 Kbyte，共有 32 个可独立擦除的扇区，增强了数据管理的灵活性。
　　该芯片内置电荷泵电路，可在标准 5V 电源下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了电源设计。同时，它支持软件数据保护机制，通过特定的命令序列来启用或禁用写入和擦除操作，防止因误操作或系统异常导致的数据损坏。此外，还提供硬件写保护功能，通过控制 Vpp 引脚电压实现对关键区域的物理级保护，进一步提升系统可靠性。
　　AM29F200BT-90SE 采用 CMOS 工艺制造，具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低（≤200μA），适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）确保了在恶劣工业环境下的稳定运行。所有引脚均符合 JEDEC 标准，保证与现有系统的良好兼容性，并支持与多种微处理器和控制器无缝对接。最后，该器件经过严格测试，具备高达 100,000 次的擦写寿命和超过 20 年的数据保持能力，确保长期使用的可靠性和稳定性。

AM29F200BT-90SE 广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统和工业设备中。其主要用途包括作为微控制器或 DSP 的外部程序存储器，用于存放启动代码（Boot Code）、固件（Firmware）和操作系统映像。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该芯片用于存储配置信息和协议栈代码，支持远程升级和现场维护。工业控制系统，例如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和 CNC 机床，依赖该器件进行可靠的参数保存和程序存储，确保在断电后仍能恢复运行状态。
　　在消费类电子产品中，AM29F200BT-90SE 曾被用于早期的数码相机、多媒体播放器和游戏机中，用于存储主控程序和用户界面代码。汽车电子领域，如车载导航系统、仪表盘控制模块和车身控制单元，也采用此类 NOR Flash 存储关键软件和校准数据。此外，在测试测量仪器、医疗设备和安防监控系统中，该芯片因其高可靠性和稳定性而受到青睐，能够满足长时间无人值守运行的需求。
　　由于其并行接口和较快的读取速度，特别适合需要快速随机访问的应用场景，而非大容量连续数据存储。虽然现代设计更多转向串行 SPI Flash 以节省空间和成本，但在一些需要高吞吐量和直接执行能力的遗留系统或特定高性能应用中，AM29F200BT-90SE 仍然具有不可替代的价值。

S29GL256P-90_15
　　S29GL256S-90_15
　　MBM29F200TC-90PFVNE1
　　CY29F200BT-90ZC
　　IS29FV200B-90