制造商：AMD
　　产品系列：Am29DL/Am29F
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　读取访问时间：90 ns
　　封装类型：48-TSOP, 48-FBGA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行
　　擦写耐久性：100,000次以上
　　数据保持时间：>20年
　　扇区数量：35个（可独立擦除）
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护

AM29F160DT-90EF具有多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，它采用了MirrorBit技术，这是一种创新的存储单元结构，能够在每个物理存储单元中存储两个比特的信息，从而在不缩小工艺尺寸的前提下提高存储密度。这种技术不仅提高了芯片的集成度，还保持了良好的可靠性和制造良率。其次，该器件支持灵活的扇区架构，总共包含35个可独立擦除的扇区，其中包括多个较小的参数型扇区（如8 KB和16 KB）以及较大的主扇区（32 KB和64 KB），便于用户对固件、配置数据和用户参数进行分区管理。这种设计特别适合需要频繁更新部分代码而保留其他内容不变的应用场景。
　　该芯片具备高效的编程与擦除机制。通过内部电荷泵生成所需的高压编程信号，仅需单一3.xV电源即可完成所有操作，简化了外部电源设计。编程时间典型值为70μs/字，块擦除时间约为0.8秒，支持快速批量操作。同时，内置的状态机可监控编程和擦除过程，并通过状态轮询或中断信号反馈操作结果，提升系统响应效率。此外，AM29F160DT-90EF支持多种保护机制，包括软件数据保护（SDP）模式，可防止因误操作或程序跑飞导致的意外写入；还有Vpp引脚的高压检测功能，用于硬件写保护控制。
　　在可靠性方面，该器件经过严格测试，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定工作，适应恶劣环境下的应用需求。其高耐用性（10万次擦写周期）和长达20年以上的数据保持能力，确保系统在整个生命周期内无需更换存储芯片。另外，该芯片兼容JEDEC标准的引脚排列和命令集，便于系统升级和替代设计。尽管目前AMD已不再主导该产品的生产和推广，但其技术路线被Spansion继承发展，相关型号在市场中仍有良好供应渠道和技术支持资源。

AM29F160DT-90EF广泛应用于多种需要高性能、高可靠性的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC控制器、人机界面（HMI）、远程终端单元（RTU）等设备中，用于存储固件、配置参数和校准数据。这类应用通常要求存储器具备较强的抗干扰能力和宽温工作特性，而该芯片恰好满足这些需求。
　　在通信设备中，如路由器、交换机、基站模块和光网络终端（ONT），AM29F160DT-90EF被用来存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像和设备配置信息。由于其支持快速随机读取，CPU可以直接从该Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序加载到RAM中，节省了内存资源并加快了启动速度。
　　在消费类电子产品方面，该芯片曾用于早期的数码相机、多媒体播放器、智能家电和游戏机中，作为主程序存储介质。虽然当前主流产品已转向更高密度或串行接口的Flash，但在一些维修替换或老旧设备维护场景中仍具实用价值。
　　此外，在汽车电子和医疗设备中也有应用实例，尤其是在对认证周期长、更换成本高的系统中，AM29F160DT-90EF因其长期供货保障和成熟的技术验证而受到青睐。其扇区保护功能也适用于存储关键安全参数或加密密钥，防止非法篡改。
　　最后，在开发和测试阶段，该芯片常被用作通用可编程只读存储器（PROM）替代方案，便于工程师进行固件迭代和现场升级。配合通用编程器，可实现快速烧录与验证，缩短产品开发周期。

S29GL128P-90TFI020
　　S29GL128S-90TFI020
　　CY16F160D-90ZS