制造商：AMD
　　产品系列：Am29F
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：1M × 8位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：120 ns
　　封装类型：TSOP-32
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除 / 整片擦除
　　接口类型：并行接口
　　输入/输出电平：CMOS/TTL兼容
　　待机电流：≤ 100 μA
　　编程电流：典型值 20 mA

AM29F080B-120EC具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用高性能的Flash存储技术，支持快速读取操作，最大访问时间为120纳秒，能够满足大多数实时系统的性能需求。其1M×8位的组织结构便于与8位微处理器直接接口，简化了系统设计。芯片内部集成了电荷泵电路，可在标准5V电源下完成编程和擦除操作，无需外部提供高压编程电压，提升了系统集成度和设计便利性。
　　其次，该器件支持全芯片和扇区级别的擦除操作，用户可根据需要灵活选择擦除范围。每个4KB大小的扇区允许局部更新，避免了整片擦除带来的不便，特别适用于需要频繁更新部分固件或配置数据的应用场景。命令寄存器通过特定的地址/数据序列进行控制，如自动选择、产品识别、扇区擦除和编程命令等，增强了操作的安全性和可控性。此外，芯片具备软件数据保护功能，可通过命令序列启用写保护，防止意外写入或擦除，进一步提升数据可靠性。
　　再者，AM29F080B-120EC具备出色的环境适应能力，工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级应用标准，适用于工业控制、车载电子、网络设备等恶劣环境下的长期运行。其TSOP-32封装形式体积小巧，适合高密度PCB布局。低功耗设计使其在待机模式下电流消耗低于100μA，显著降低系统整体功耗，尤其适用于电池供电设备。
　　最后，该芯片支持10万次以上的编程/擦除周期，数据保持时间长达100年，确保了长期使用的稳定性和耐久性。尽管该型号已逐步被 newer SPI NOR Flash 等新型存储器取代，但其成熟的生态系统和广泛的兼容性仍使其在维修、替换和 legacy design 中具有重要价值。

AM29F080B-120EC广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的电子系统中。常见应用包括嵌入式控制系统中的固件存储，例如工业自动化设备、PLC控制器、数控机床等，用于存放启动代码、操作系统镜像或应用程序。在通信设备中，如路由器、交换机、基站模块等，该芯片可用于存储配置参数、引导程序（Bootloader）和诊断软件，支持现场升级而无需拆卸设备。
　　此外，该器件也常用于消费类电子产品，如老式打印机、复印机、POS终端和多媒体播放器，作为主程序存储介质。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、仪表盘系统或车载娱乐系统的固件存储，其工业级温度范围确保在极端气候条件下仍能可靠运行。医疗设备中，如监护仪、超声设备的辅助控制板，也采用此类Flash存储关键校准数据和操作程序。
　　由于其并行接口特性，AM29F080B-120EC适用于总线速度适中、对存储容量有一定要求但不需要高速串行接口的场合。虽然现代设计更多转向SPI或QSPI接口的NOR Flash以节省引脚和成本，但在许多现有设备维护和备件替换中，该芯片仍是首选方案。其高可靠性、成熟的技术支持和广泛的可用性使其在工业、通信和军事等领域持续发挥作用。

SST39VF800A-120C-EK
　　MX29F080MC-12K
　　EN29F080-12TIC
　　PMB29F080CEZ-120