制造商：AMD (现 Infineon Technologies)
　　系列：AM29F
　　存储容量：8 Mbit (1 MByte)
　　存储结构：1,048,576 x 8 位
　　工艺技术：CMOS
　　工作电压：5.0V ± 10% (4.5V 至 5.5V)
　　访问时间：120 ns
　　封装类型：44-Pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　编程电压：内部电荷泵产生所需高压，无需外部Vpp
　　读取电流：典型值 30 mA
　　待机电流：典型值 50 μA
　　写入/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：>20 年（典型值）
　　接口类型：并行异步接口
　　地址总线宽度：20 位
　　数据总线宽度：8 位
　　封装代码：EI（工业级PLCC）

该芯片具备高性能的读取能力，访问时间为120ns，能够满足大多数微控制器系统的实时读取需求，尤其适合直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景。其内部采用先进的ETOX（EPROM Tunnel Oxide）浮栅技术，确保了高可靠性的编程与擦除操作，并有效防止数据泄漏。AM29F080-120EI支持整片擦除和按扇区（Sector）擦除两种模式，共有64个扇区，每个扇区大小为128KB，这种灵活的擦除机制允许用户对特定区域进行更新而不影响其他数据，提高了系统维护效率。芯片内置状态轮询机制和Toggle Bit功能，可用于判断编程或擦除操作是否完成，从而实现高效的软件管理。此外，该器件还集成了硬件写保护功能，通过将WE#、CE#和RESET#引脚拉高或拉低组合来防止意外写入或擦除，增强了数据安全性。
　　为了提高系统兼容性和简化设计，AM29F080-120EI采用标准的JEDEC并行接口协议，可以直接连接到常见的微处理器和微控制器总线上，无需额外的接口转换逻辑。其内部电荷泵设计使得编程所需的高压由芯片自身生成，避免了传统EEPROM需要外接Vpp引脚的复杂布线。在电源上电和掉电过程中，该芯片具备自动上电复位（Power-on Reset）和掉电保护功能，防止在电压不稳定期间发生误操作。所有输入/输出引脚均符合LVTTL电平兼容标准，便于与多种逻辑器件协同工作。该器件还支持命令寄存器编程模式，通过向特定地址写入预定义指令序列（如AAH/55H解锁序列）来启动擦除、编程或查询操作，这种方式已成为行业标准，极大提升了软件开发的通用性。

AM29F080-120EI广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器中的固件存储，用于保存PLC程序或配置参数；在网络通信设备如路由器、交换机和调制解调器中作为引导程序（Bootloader）的载体，确保设备在上电时能正确初始化。在消费类电子产品中，例如老式数字机顶盒、打印机、POS终端和多媒体播放器，该芯片用于存储主控程序和用户界面代码。汽车电子领域也常见其身影，用于车身控制模块、仪表盘系统或车载信息娱乐系统的程序存储。由于其具备较高的抗干扰能力和宽温工作特性，特别适合部署在电磁环境复杂或温度变化剧烈的工业现场。此外，在测试测量仪器、医疗设备和航空航天等对可靠性要求极高的领域，该芯片也被用作关键数据的长期存储介质。随着物联网和智能设备的发展，虽然新型串行闪存逐渐普及，但在一些需要高速并行访问或大容量本地代码存储的场合，AM29F080-120EI仍是一个稳定可靠的选择。

SST39SF080-120C-EK
　　MBM29F080TA-12KNE
　　PMB29F080C-120EI
　　CY29F080-120BNI