制造商：AMD
　　系列：Am29F
　　存储容量：1 Mbit
　　存储结构：128K × 8
　　存储类型：闪存（Flash Memory）
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：55 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：PDIP-32
　　编程电压：内部电荷泵提供
　　写使能：通过CE#、OE#、WE#控制
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　编程方式：字节编程
　　数据保持时间：100年
　　擦写次数：典型10万次
　　接口类型：并行接口
　　输出逻辑电平：TTL兼容

AM29F010B-55EE具备多项关键技术特性，使其在同类闪存器件中表现出色。首先，它采用单一5V电源供电，无需外部高压编程电压，内部集成电荷泵电路可在编程和擦除操作时自动生成所需的高压，极大降低了系统复杂度和成本。这一特性使得它非常适合用于传统嵌入式系统中，尤其是在电源设计受限的应用环境下。
　　其次，该芯片支持快速随机读取，最大访问时间为55ns，能够满足高速微处理器系统的实时数据读取需求。同时，其采用的标准并行接口与大多数微控制器和微处理器完全兼容，无需额外的接口转换逻辑，简化了硬件设计流程。
　　第三，AM29F010B-55EE提供了灵活的擦除和编程机制。用户可通过软件命令集对任意字节进行编程，也可按扇区（每扇区4KB）或整片方式进行擦除操作。这种分区域管理方式有助于提高固件更新效率并延长器件寿命。此外，芯片内置的状态寄存器可反馈编程/擦除操作的完成状态，支持轮询检测和中断输出，增强了系统控制的可靠性。
　　再者，该器件具备强大的数据保持能力和耐久性，标称可承受10万次擦写循环，数据可保存长达100年，适用于需要频繁更新且长期稳定运行的应用场景。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　最后，AM29F010B-55EE还具备硬件写保护功能，当RESET#引脚被拉低时，所有编程和擦除操作将被禁止，有效防止因系统异常或电源波动导致的数据损坏。这些综合特性使其成为上世纪末至本世纪初广泛应用的经典闪存型号之一。

AM29F010B-55EE广泛应用于多种需要非易失性程序存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为PC主板或其他计算机设备的BIOS存储芯片，用于存放开机自检（POST）、硬件初始化和基本输入输出系统代码。由于其可靠的读写性能和良好的兼容性，该芯片曾在大量台式机、工控机和服务器主板上被采用。
　　此外，在嵌入式控制系统中，如工业自动化设备、PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床等，AM29F010B-55EE常被用来存储固件、配置参数和启动代码。其55ns的快速读取速度能够满足实时控制系统的响应要求，而128KB的存储空间足以容纳中小型应用程序。
　　在网络通信设备领域，如路由器、交换机、调制解调器等，该芯片也被用于存储引导程序和操作系统镜像。特别是在早期的网络设备中，因其稳定性强、易于烧录和调试，受到工程师青睐。
　　消费类电子产品方面，打印机、复印机、传真机等办公设备利用该芯片存储设备驱动程序和用户界面逻辑。在汽车电子系统中，部分老款车型的ECU（电子控制单元）也采用此类闪存来保存标定数据和控制算法。
　　由于其PDIP-32封装易于更换和编程，AM29F010B-55EE在维修、逆向工程和DIY升级市场中依然活跃。例如，玩家常使用它来刷写定制BIOS或恢复损坏的主板固件。尽管新型设备已转向SPI Flash等小型化方案，但该芯片在旧设备维护和教学实验中仍具实用价值。

SST39SF010A-55-4C-PHE
　　EON EN29F010-55PCC
　　PMC Pm29F010ZC-55JE
　　Winbond W29C010-55JL
　　Intel TE28F010-55