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AM29F010B-120PD 发布时间 时间:2025/12/28 2:36:08 查看 阅读:10

AM29F010B-120PD是一款由AMD(现为Spansion,后被Cypress Semiconductor收购)生产的1兆位(128K × 8位)的CMOS闪存芯片。该器件属于Am29LV系列的并行NOR Flash存储器,支持在线电可擦除和可编程功能,广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中。AM29F010B采用标准的5V供电电压,具备快速读取访问时间(典型值为120纳秒),适合在高性能微处理器系统中作为程序存储器使用。该芯片支持多种封装形式,其中‘PD’表示采用32引脚DIP(双列直插式封装),便于在开发板或工业控制设备中进行插拔与更换。
  该器件内置了命令寄存器,用户可通过向特定地址写入命令序列来实现对芯片的编程、擦除和查询操作。其擦除操作以扇区(Sector)或整片(Chip)方式进行,每个扇区大小为64KB,共16个扇区,提供了灵活的数据管理能力。此外,AM29F010B集成了内部写状态控制器(Write State Controller, WSC),可在编程或擦除操作期间自动管理定时和验证过程,减轻主控处理器的负担,并提高系统可靠性。
  AM29F010B-120PD具备较高的耐久性和数据保持能力,通常可支持至少10万次的编程/擦除周期,数据保存时间可达10年以上。它还具备TTL电平兼容的I/O接口,能够与大多数微控制器和微处理器直接连接,无需额外的电平转换电路。由于其成熟的技术和稳定的性能,该芯片曾广泛用于老式计算机BIOS、工业控制模块、通信设备和消费类电子产品中。尽管目前已被更先进的低功耗、高密度闪存产品逐步替代,但在一些维护和替换场景中仍具有重要应用价值。

参数

制造商:AMD
  系列:Am29F
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:1 Mbit
  组织结构:128K × 8
  供电电压:4.5V ~ 5.5V
  访问时间:120 ns
  工作温度范围:0°C ~ 70°C
  封装类型:32-DIP(PD)
  接口类型:并行
  编程电压:5V
  擦除方式:扇区擦除 / 整片擦除
  扇区大小:64 KB
  输入/输出电平:TTL 兼容

特性

AM29F010B-120PD具备多项关键特性,使其在嵌入式系统和固件存储应用中表现出色。首先,该芯片采用高性能CMOS技术,实现了低静态功耗与高速读取能力的平衡。在待机模式下,电流消耗可低至数微安,而在读取操作时典型工作电流约为20mA,适合对功耗有一定要求但又需要快速响应的应用场景。其120ns的访问时间确保了与主流8位和16位微处理器的良好匹配,能够在无需等待状态的情况下完成总线操作,提升系统整体效率。
  其次,该器件支持在线编程(In-System Programming, ISP)和扇区级擦除功能,允许用户在不移除芯片的情况下更新部分程序代码,极大地方便了现场升级和调试工作。每个64KB的扇区可以独立擦除,避免了全片擦除带来的数据丢失风险,提升了数据管理的灵活性。同时,芯片内置的写状态控制器(WSC)能够自动处理编程和擦除过程中的复杂时序、电压调节及校验流程,用户只需通过简单的命令接口启动操作,即可实现可靠写入,降低了软件开发难度。
  再者,AM29F010B具备高度的环境适应性和长期可靠性。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数商业级应用场景。芯片采用非易失性存储技术,即使断电后也能长期保存数据,典型数据保持时间为10年或更长。此外,它支持至少10万次的编程/擦除周期,远高于一般EEPROM器件,适合频繁更新固件的系统使用。
  安全性方面,该芯片提供硬件和软件保护机制。例如,可通过设置特定地址的命令来锁定某些扇区,防止意外写入或擦除。同时,支持软件数据保护功能,可识别非法写操作并拒绝执行,从而防止因程序跑飞或电磁干扰导致的误操作。最后,其DIP封装形式便于手工焊接和更换,在研发、测试及维修阶段具有明显优势,尤其适合小批量生产或教学实验用途。

应用

AM29F010B-120PD广泛应用于各类需要可靠非易失性程序存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为计算机主板或其他设备的BIOS存储芯片,用于存放开机自检(POST)程序和系统配置信息。由于其并行接口速度快、读取延迟低,非常适合在系统启动初期快速加载引导代码。
  在工业控制领域,该芯片常被用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和远程终端单元(RTU)等设备中,用于存储控制逻辑、参数配置和固件程序。其高耐久性和稳定性确保了在恶劣工业环境下长期运行的可靠性。
  通信设备如路由器、交换机、调制解调器等也广泛采用此类Flash芯片存储操作系统和配置文件。AM29F010B的并行接口能与多种MPU/MCU无缝对接,简化了硬件设计。
  此外,在消费类电子产品中,如老式打印机、复印机、POS终端、游戏机主板等,该芯片也被用作程序存储器。由于其成熟的供应链和广泛的技术支持,许多老旧设备在维修或复制时仍会选择该型号进行替换。
  在教育和科研领域,由于其DIP封装易于接入面包板和开发板,AM29F010B-120PD常被用于嵌入式系统教学实验,帮助学生理解Flash存储器的工作原理、编程算法和总线时序控制。尽管当前主流趋势已转向SPI NOR Flash等串行接口器件,但在特定维护和兼容性需求场景下,该芯片依然具有不可替代的价值。

替代型号

SST39SF010A-70-4C-PHE-T
  MBM29F010B-12PF1N
  EON EN29F010A-12PDI

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AM29F010B-120PD参数

  • 存储器容量:1Mbit
  • 访问时间:120ns
  • 电源电压范围:4.5V 到 5.5V
  • 封装类型:DIP
  • 针脚数:32
  • MSL:MSL 3 - 168小时
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 存储器容量:1Mbit
  • 存储器电压 Vcc:5V
  • 存储器类型:Flash, NOR
  • 存储器配置:128K x 8b
  • 封装类型:DIP
  • 扇区类型:一致
  • 接口:Parallel
  • 接口类型:Parallel
  • 电源电压 最大:5.5V
  • 电源电压 最小:4.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 逻辑功能号:29F010