型号：AM29F002NT-90NBT
　　制造商：AMD
　　存储容量：2 Mbit (256 KB)
　　组织结构：128 K x 16 位 或 256 K x 8 位
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：32-pin TSOP
　　接口类型：并行异步接口
　　编程电压：单电源5V
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　擦除方式：整片擦除（Bulk Erase）和扇区擦除（Sector Erase）
　　编程方式：字节/字编程
　　待机电流：典型值5 mA，最大值20 mA
　　读取电流：典型值30 mA
　　封装尺寸：标准32引脚TSOP Type I

AM29F002NT-90NBT具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，该芯片支持8位和16位两种数据总线宽度的操作模式，用户可通过MODE引脚在系统上电时选择所需的工作模式，从而增强与不同微处理器或控制器的兼容性。这种灵活性使得它能够无缝集成到多种硬件架构中，无论是8051类8位MCU系统还是x86架构的嵌入式主板均可适用。
　　其次，该器件采用单一5V电源供电进行读取和编程操作，无需额外的高压编程电源（如12V Vpp），大大简化了系统电源设计，并提高了系统的可靠性。内部嵌入的命令寄存器允许通过向特定地址写入特定命令序列来控制芯片的各种操作，例如进入自动选择模式、执行扇区擦除或整片擦除、启动字节编程等。这些命令遵循标准的CUI（Common Flash Interface）规范，增强了与其他Flash编程工具和烧录器的兼容性。
　　再者，AM29F002NT-90NBT提供多级数据保护机制。除了通过VHH引脚实现的硬件写保护外，还支持软件写保护功能，即通过特定命令序列锁定部分或全部存储区域，防止因程序异常或外部干扰导致的关键数据丢失。该芯片划分为多个可独立擦除的扇区（sector），其中包含若干小扇区和一个大的引导块（boot block），便于实现分区管理，特别适合用于存储BIOS固件的应用场景，其中引导代码可单独保护，而其余区域可用于更新或日志记录。
　　此外，该Flash芯片具有较高的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持10万次擦写周期，数据保存时间可达20年以上，满足工业级长期运行需求。其90ns的快速访问时间确保了在高速微处理器系统中的实时响应性能。虽然随着技术进步，更高密度、更低功耗的SPI NOR Flash逐渐取代此类并行Flash，但AM29F002NT-90NBT因其成熟稳定，在现有设备维护和替代升级中仍具重要地位。

AM29F002NT-90NBT主要用于需要中等容量、高可靠性的非易失性存储应用场景。最常见的用途之一是作为个人计算机和工业主板的BIOS存储芯片，存储系统启动代码、硬件配置信息和固件更新程序。由于其具备引导块保护功能，能够在系统启动过程中防止关键代码被意外修改，因此非常适合用于固件存储。
　　此外，该芯片广泛应用于各种嵌入式控制系统，如数控机床、PLC控制器、医疗设备和通信基站模块中，用于存放启动程序、校准参数和设备配置信息。在网络设备如路由器、交换机和防火墙中，也常用于存储Bootloader和操作系统镜像，尤其是在需要并行接口高速读取的旧款设备中。
　　在自动化测试设备（ATE）和仪器仪表领域，AM29F002NT-90NBT因其稳定的读写性能和良好的温度适应性，被用作存储测量算法、用户设置和历史数据记录的介质。同时，由于其支持在线编程（ISP），可在不拆卸芯片的情况下完成固件升级，极大地方便了现场维护和技术支持。
　　此外，一些老式游戏机主板、POS终端和车载电子模块也曾采用该型号Flash进行程序存储。尽管当前主流设计已转向串行NOR Flash或SPI接口器件以节省空间和引脚资源，但在设备维修、备件替换和逆向工程中，AM29F002NT-90NBT仍然是重要的参考型号和实际使用器件。

SST39SF020A-70-4C-PHE
　　MX29F002NB-90G
　　EN29F002A-90TBI