制造商：AMD / Spansion
　　系列：AM29F002
　　存储容量：2 Mbit
　　组织结构：256K × 8 位
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：0°C ~ 70°C
　　封装类型：Ceramic DIP-28
　　接口类型：并行（地址/数据总线）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写周期时间：典型 1 ms（自动定时编程）
　　擦除方式：扇区擦除 / 芯片擦除
　　扇区大小：4 × 8 KB + 1 × 16 KB + 1 × 32 KB + 2 × 64 KB
　　读取电流：典型 25 mA
　　待机电流：典型 100 μA
　　编程与擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：100 年

AM29F002BT-90JC 采用 ETOX 技术，具备出色的可靠性和耐久性，能够实现高达 100,000 次的编程/擦除周期，并保证数据在断电后稳定保存长达 100 年。该芯片支持两种擦除模式：扇区擦除和整片擦除，用户可以根据需要选择性地清除部分数据而不影响其他区域内容，提升了灵活性和效率。每个扇区均可独立进行写保护设置，有效防止意外修改或恶意代码注入，特别适合 BIOS 或固件存储应用。
　　该器件内置写状态控制器（Write State Controller），可在编程或擦除操作期间通过查询特定地址的状态位来判断操作是否完成，无需外部计时器干预，极大简化了软件设计。编程过程采用自动定时算法，确保每个字节都能正确写入，并在检测到异常时自动重试或终止操作，提高了系统的鲁棒性。
　　在硬件接口方面，AM29F002BT-90JC 提供标准的地址总线（A0-A17）和数据总线（DQ0-DQ7），支持 CE#（片选）、OE#（输出使能）和 WE#（写使能）控制信号，完全兼容通用微处理器时序要求。其 90ns 的访问时间满足大多数中低速嵌入式系统的需求，在当时属于高性能 Flash 器件。
　　此外，该芯片具备低功耗待机模式，在未激活状态下电流消耗仅为 100μA，有助于延长电池供电设备的工作时间。陶瓷 DIP 封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了抗电磁干扰能力，适用于工业级环境下的长期运行。尽管现代系统已逐渐转向更小封装、更低功耗的串行 Flash，但 AM29F002BT-90JC 因其稳定性与可维修性，仍在一些 legacy 设备维护中被使用。

AM29F002BT-90JC 主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，典型应用场景包括个人计算机和工控机的 BIOS 存储，因其支持扇区保护和高耐久性，能有效防止 BIOS 被病毒感染或误刷导致系统无法启动。在工业控制系统中，该芯片可用于存储配置参数、校准数据和启动代码，确保设备在断电重启后仍能恢复原始设置。
　　网络通信设备如路由器、交换机等早期产品也常采用此类并行 Flash 来存放引导程序（Bootloader）和操作系统镜像，利用其快速读取能力和直接总线连接特性实现高效的启动流程。此外，在医疗仪器、测试测量设备和自动化终端中，AM29F002BT-90JC 可作为固件存储介质，提供稳定的代码执行环境。
　　由于其 DIP 封装易于焊接和更换，该芯片在研发原型设计、教学实验平台和维修替换中也具有一定优势。特别是在主板维修领域，当原装 BIOS 损坏时，技术人员可通过编程器将正确的固件烧录至 AM29F002BT-90JC 后进行替换，实现快速修复。虽然目前已逐步被小型化、低功耗的 SPI Flash 取代，但在处理老旧设备升级或复刻经典硬件平台时，该芯片仍具有不可替代的作用。

MX29F002PC-12