容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：8M x 8 或 4M x 16
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：48-ball FBGA (6mm x 8mm)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　待机电流：≤ 100μA
　　编程/擦除耐久性：100,000 次
　　数据保持时间：20 年
　　接口类型：并行异步
　　写保护功能：支持硬件 WP# 引脚和软件锁定
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　编程方式：字节/字编程、页编程
　　总线宽度：可配置为 x8/x16 模式

AM29DL640D90DWHI 采用 Spansion 独有的 MirrorBit? 技术，这是其最核心的技术优势之一。MirrorBit 技术利用氮化物作为电荷捕获层，在单个物理存储单元中存储两个独立的数据位（分别位于源极侧和漏极侧），从而在不缩小工艺尺寸的前提下实现了存储密度翻倍。这种结构不仅提升了单位面积的存储容量，还增强了器件的可靠性与耐久性。由于电荷被捕获在非导电的氮化物层中，相比传统浮栅型 Flash，MirrorBit 架构对氧化层缺陷的敏感度更低，因而具有更长的数据保持能力和更高的抗辐射性能。
　　该芯片具备高度灵活的擦除和编程能力。用户可以按扇区（4 KB）、主块（64 KB）或整片进行擦除操作，满足不同应用场景下的更新需求。编程支持字节、字以及快速页编程模式，有效提升写入效率。内部嵌入的状态机（Status Register）可实时反馈操作进度，例如编程或擦除是否完成、是否发生超时或保护错误等，使得主机处理器无需持续轮询即可准确掌握 Flash 状态，优化系统资源调度。
　　在电源管理方面，AM29DL640D90DWHI 提供多种低功耗模式，包括自动休眠模式和深度掉电模式，可在空闲时大幅降低功耗，适用于电池供电或对能效要求较高的系统。其硬件写保护引脚（WP#）可在外部防止意外写入或擦除，结合软件命令锁（如锁定寄存器），实现多层次的数据安全防护。此外，该器件完全兼容 JEDEC 标准命令集，并支持 CFI（Common Flash Interface），允许系统在运行时动态读取器件信息（如厂商 ID、设备 ID、电压要求、定时参数等），极大增强了系统的兼容性与可配置性。

AM29DL640D90DWHI 广泛应用于需要高可靠性、中等容量且支持本地代码执行的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中存储固件、引导程序（Bootloader）和配置数据，得益于其快速读取性能和 XIP 能力，系统可以直接从 Flash 中执行代码，减少对外部 RAM 的依赖，从而降低成本和功耗。
　　在工业控制系统中，该芯片被用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程 I/O 模块中，用于存储控制程序、参数表和诊断信息。其宽温工作范围（-40°C ~ +85°C）确保在恶劣工业环境下的稳定运行。在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘、车载信息娱乐系统（IVI）和 ADAS 前端模块中，存储启动代码、校准数据和地图信息，满足汽车级可靠性要求。
　　此外，在消费类电子产品如数字电视、机顶盒、打印机和智能家居网关中，AM29DL640D90DWHI 也发挥着重要作用，提供稳定的非易失性存储解决方案。由于其并行接口设计，特别适合与微控制器（MCU）、DSP 或 FPGA 配合使用，在需要高速访问和确定性响应的应用中表现优异。即使随着串行 Flash（如 QSPI NOR）的发展，该类并行 Flash 仍在某些高性能或遗留系统设计中保有重要地位。

S29GL064N90TFIR2
　　S29GL064N90TFR2
　　CY16B106V5L