型号：AM29C861ASC
　　制造商：AMD
　　类型：NOR Flash
　　容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K × 16
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V（典型3.3V）
　　访问时间：70 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　存储温度：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：44-pin SOP
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　待机电流：≤ 200 μA
　　读取电流：≤ 20 mA
　　编程/擦除电流：≤ 50 mA
　　接口类型：并行异步接口
　　写保护功能：软件控制
　　擦除方式：整片擦除、扇区擦除
　　扇区大小：64 Kbyte 主扇区 + 多个8 Kbyte 小扇区
　　可靠性：擦写次数 ≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 20 年

AM29C861ASC具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中具有良好的适用性。首先，该芯片采用单一3.3V电源供电，无需额外提供高电压编程电源，简化了系统电源设计，降低了整体功耗。其内置的电荷泵电路可在芯片内部生成所需的高压，用于执行编程和擦除操作，从而提升了系统的集成度和稳定性。其次，该器件支持灵活的擦除模式，包括整片擦除和按扇区擦除，其中扇区结构包含一个64KB的主扇区和多个8KB的小扇区，允许用户对特定区域进行独立更新，特别适用于需要频繁更新部分固件而保留其他数据不变的应用场景。
　　此外，AM29C861ASC集成了软件数据保护（Software Data Protection, SDP）功能，能够有效防止因误操作或系统异常导致的非预期写入或擦除，显著提高了系统的可靠性。该功能通过特定的命令序列启用，确保只有在接收到正确指令时才允许修改存储内容。在性能方面，70ns的快速访问时间使得该芯片能够满足大多数中速处理器的直接执行（XIP, eXecute In Place）需求，无需将代码复制到RAM中即可运行，节省了内存资源并加快了启动速度。
　　该器件还支持标准的CE#（片选）、OE#（输出使能）和WE#（写使能）控制信号，兼容常见的微处理器总线时序，便于系统集成。其CMOS工艺不仅降低了静态和动态功耗，还增强了抗干扰能力。在可靠性方面，AM29C861ASC保证至少10万次的擦写寿命和20年以上的数据保持能力，适用于长期运行的工业和通信设备。最后，该芯片采用44引脚SOP封装，引脚间距为0.8mm，便于自动化贴装和回流焊工艺，在紧凑型PCB设计中具有良好的适应性。

AM29C861ASC广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置参数，支持快速启动和远程固件升级。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和数据采集模块，保存控制程序和校准数据，确保断电后信息不丢失。消费类电子产品如机顶盒、打印机和多媒体终端也采用此类Flash存储器来存放固件和用户设置。
　　此外，AM29C861ASC适用于汽车电子中的车身控制模块、仪表盘系统和车载信息娱乐系统，因其具备工业级温度适应能力和较高的抗干扰性能。在网络设备中，该芯片支持多任务固件分区管理，允许同时存储主固件、备份固件和诊断程序，提升系统的可维护性和容错能力。由于其支持XIP（就地执行）功能，处理器可直接从Flash中读取并执行指令，减少了对外部RAM的依赖，降低了系统成本和复杂度。对于需要现场升级（FOTA或Field Upgrade）的应用，该芯片的扇区擦除功能允许仅更新变化的部分代码，缩短升级时间并降低失败风险。尽管当前新型串行NOR Flash和SPI Flash在密度和成本上更具优势，但在某些遗留系统或对并行接口有特殊需求的场合，AM29C861ASC仍具有一定的应用价值。

S29GL008D90TFIR2
　　MT28EW080ADA-0S3J:P
　　IS29LV008A-70S151