型号：AM2976JC
　　制造商：AMD
　　存储容量：16K × 8位（128 Kbit）
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44引脚PLCC
　　访问时间：12ns / 15ns / 20ns（根据速度等级）
　　工作模式：异步静态RAM
　　读写操作：支持异步读写
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大静态电流：约40mA
　　待机电流：≤ 5μA
　　三态输出：支持
　　组织结构：16,384字 × 8位

AM2976JC的核心特性之一是其高速访问能力，典型访问时间分别为12ns、15ns和20ns三种速度等级，能够满足大多数中高端嵌入式系统对快速响应的需求。这种级别的存取速度使得它非常适合用作微控制器或DSP的高速缓存，尤其是在没有片上高速SRAM的老款处理器系统中。其异步操作模式意味着无需外部时钟同步即可完成读写操作，简化了系统设计并降低了时序匹配的复杂性。这对于构建基于通用总线架构（如ISA或CompactPCI扩展接口）的控制系统尤为有利。
　　该器件采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机状态下电流消耗极低（小于5μA），有助于延长电池供电设备的工作时间，并减少散热需求。这使其适用于便携式仪器、远程监控终端等对能耗敏感的应用场景。同时，CMOS技术还带来了良好的噪声抑制能力和抗电磁干扰性能，提高了系统在复杂电磁环境下的可靠性。
　　AM2976JC具备全静态设计，即所有内部电路均采用静态逻辑实现，允许系统时钟暂停甚至完全停止而不会丢失数据。这一特性对于实现节能模式（如休眠唤醒机制）至关重要，允许系统在低活动期间关闭主时钟以节省能源，而在需要时迅速恢复运行。
　　引脚排列遵循JEDEC标准PLCC封装规范，支持热风回流焊接和自动贴片生产，适合大规模自动化装配流程。其三态输出结构允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过片选（Chip Enable）、输出使能（Output Enable）和写使能（Write Enable）信号精确控制数据流向，避免总线冲突。
　　最后，AM2976JC经过严格的质量控制和可靠性测试，具备高MTBF（平均无故障时间），并在工业和军事应用中积累了长期的现场验证经验，成为许多关键任务系统的首选SRAM解决方案之一。

AM2976JC被广泛应用于各类需要高速、可靠、非易失性辅助存储的电子系统中。在通信领域，它常用于早期的路由器、交换机和基站设备中，作为协议处理单元的缓冲区或队列管理存储器，用于暂存分组数据、路由表项或中断上下文信息。由于其快速响应特性，能够在高流量负载下维持较低延迟，保障网络吞吐效率。
　　在工业自动化方面，该芯片常见于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）和人机界面（HMI）设备中，用于存放实时采集的数据、中间运算结果或状态标志位。其宽温工作能力和抗干扰特性确保在工厂强电磁干扰环境中依然稳定运行。
　　在军事与航空航天领域，AM2976JC因其长期供货历史和高可靠性，被用于雷达信号处理模块、飞行控制系统和导弹导航计算机中，承担关键数据的临时存储任务。虽然现代系统更多采用更高密度的存储方案，但在系统升级或备件更换时，AM2976JC仍是重要的替代选择。
　　此外，该芯片也出现在一些老式医疗成像设备、测试测量仪器和POS终端中，作为主处理器的辅助内存。即使在当前，部分厂商仍在生产兼容型号或提供翻新件，以支持这些长生命周期系统的持续运维。

IS61C168AJ-12JL
　　CY7C109B-15VC
　　IDT71V256SA12PHG
　　AS6C62256-55PCN2