型号：AM2964BDC
　　制造商：AMD
　　存储类型：异步SRAM
　　存储容量：4K × 4位（共16Kb）
　　电源电压：5V ±10%
　　访问时间：15ns / 20ns / 25ns（根据具体子型号区分）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　封装类型：24引脚DIP（双列直插封装）
　　引脚间距：2.54mm
　　读写控制信号：片选CE、输出使能OE、写使能WE
　　最大静态电流：约35mA（典型值）
　　待机功耗：低于100μA（CMOS低功耗模式）
　　地址输入线数量：12根（A0-A11）
　　数据输入/输出线数量：4根（I/O0-I/O3）
　　封装材料：陶瓷或塑料DIP可选

AM2964BDC具备出色的电气稳定性和抗干扰能力，得益于其基于CMOS工艺的设计，在保持高速性能的同时实现了较低的动态与静态功耗，这对于长时间运行的工业控制系统尤为重要。该芯片采用全静态设计，意味着只要供电正常，无需刷新或时钟维持即可保持数据完整性，提升了系统的可靠性。其15ns级别的访问速度在当时属于高端水平，能够满足CPU缓存、高速缓冲存储等对响应时间敏感的应用需求。输入输出接口电平兼容TTL标准，方便与当时的微处理器和控制器直接连接而无需额外的电平转换电路。内部结构优化了地址译码逻辑，减少了地址建立和保持时间的要求，提高了整体系统的时序裕量。此外，该器件支持三态输出控制，允许多片SRAM共享同一数据总线，从而实现存储容量扩展或构建复杂内存阵列。芯片还集成了防闩锁（Latch-up）保护机制，增强了在恶劣电磁环境下的鲁棒性。制造过程中采用了严格的品质控制流程，确保了批次间的一致性和长期供货稳定性。虽然其4K×4的容量以现代标准来看非常有限，但在其时代背景下已足以支持多数嵌入式逻辑控制任务。AM2964BDC的另一个显著特点是其宽泛的工业认证背景，部分版本符合军规筛选标准，可用于航空航天及国防领域。由于停产多年，当前市场主要依赖库存件或二手渠道获取，因此在替代方案设计时需特别注意时序匹配与封装兼容性问题。
　　值得注意的是，该芯片不具备电池备份功能，也不支持自刷新操作，所有数据在断电后将丢失。其设计重点在于高速、可靠的数据暂存而非持久化存储。对于需要长期保存配置信息的系统，通常需外接EEPROM或非易失性SRAM进行配合使用。

AM2964BDC主要用于需要高速、低延迟数据存取的场合，典型应用包括早期的小型计算机系统中的高速缓存存储、工业自动化控制器中的中间数据缓冲、通信交换设备中的帧缓存单元、测试测量仪器内的临时结果存储等。在数字信号处理系统中，该芯片常被用作算法运算过程中的变量暂存区，利用其快速读写特性提升整体处理效率。由于其异步接口特性，也常见于与Z80、8086、68000等经典微处理器配套使用的主板设计中，作为主内存或辅助内存模块的一部分。在打印机和绘图仪等外设中，用于存储待打印字符点阵或图形指令流，确保输出流畅无卡顿。在网络路由器和桥接器发展的初期阶段，该芯片被用于MAC地址表缓存或数据包预处理队列管理。此外，在军事和航空电子系统中，某些经过筛选的版本曾用于雷达信号预处理单元或飞行控制计算机的实时数据暂存区域。如今，尽管不再用于新设计，但在设备维修、系统升级或博物馆级复古计算项目中仍有实际应用价值，尤其是在替换故障SRAM芯片时作为原始型号的直接参照对象。

CY7C134B-25DC
　　MCM6264PC-15
　　IDT7134SA20P