制造商：AMD
　　型号：AM2954DM
　　存储容量：4K x 4位
　　组织结构：4096字 × 4位
　　工作电压：5V ±10%
　　访问时间典型值：55ns / 70ns / 100ns（根据速度等级）
　　工作温度范围：商业级 0°C 至 +70°C
　　封装类型：24引脚 DIP（双列直插封装）
　　引脚间距：2.54mm
　　读写操作：异步读写支持
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大静态电流：约 75mA
　　待机电流：小于 5mA
　　写使能信号：WE控制
　　片选信号：CE控制
　　输出使能：OE用于三态输出控制

AM2954DM作为一款经典的CMOS异步SRAM器件，具备出色的性能与可靠性，适用于对时序要求严格的系统环境。
　　其核心特性之一是高速的数据访问能力，提供多种速度等级选择，最快可达55纳秒的访问时间，使得它在当时的微处理器系统中能够有效匹配CPU总线速度，减少等待周期，提升整体系统响应效率。这种快速响应能力使其特别适合用作高速缓存或实时数据缓冲区。
　　该芯片采用CMOS技术制造，显著降低了功耗，尤其是在待机模式下，静态电流低于5mA，有助于延长系统运行时间并减少散热需求，这在无风扇或密闭环境中尤为重要。
　　AM2954DM支持全地址和数据线的三态输出控制，允许其直接挂接在共享总线上，与其他外设协同工作而不会造成总线冲突。通过片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）三个控制信号的组合，可实现精确的读写操作管理，增强了系统的灵活性与可控性。
　　此外，该器件具有良好的抗干扰能力和宽温工作稳定性，在0°C至+70°C范围内能保持正常工作，满足大多数工业和商业应用场景的需求。其24引脚DIP封装便于手工焊接与调试，非常适合原型开发、教学实验及旧设备维修。
　　值得一提的是，AM2954DM的设计遵循标准SRAM接口协议，无需刷新操作，简化了系统设计复杂度，降低了软件开销，尤其适合资源受限的嵌入式控制系统。
　　虽然随着半导体技术的发展，更高密度、更低电压的SRAM已成为主流，但AM2954DM凭借其成熟的设计、稳定的供货记录以及广泛的文档支持，仍在一些专用设备和军工类产品中保有应用空间。

AM2954DM主要用于需要中等容量高速静态存储的电子系统中。
　　在通信设备领域，常用于电话交换机、调制解调器和早期网络路由器中的帧缓冲和协议处理临时存储；在工业自动化控制系统中，作为PLC（可编程逻辑控制器）或数据采集模块的中间数据暂存单元，确保关键过程数据不丢失且能快速读取。
　　该芯片也广泛应用于测试测量仪器，如示波器、频谱分析仪等，用于存储采样数据或配置信息，保证仪器在启动时快速加载校准参数。
　　在计算机外围设备方面，曾用于打印机、绘图仪等设备的缓冲存储，以协调主机与机械部件之间的速度差异。
　　此外，AM2954DM还出现在一些军用和航空航天电子系统中，因其经过长期验证的可靠性和耐久性，适用于对寿命和稳定性要求极高的场合。
　　教育和科研机构也将其用于数字电路教学实验平台，帮助学生理解SRAM的工作原理、总线时序和存储器扩展技术。
　　尽管当前新型BGA或TSOP封装的高密度SRAM更为普遍，但在设备维护、备件替换以及复古计算项目中，AM2954DM依然发挥着不可替代的作用。

AM2954DM-55
　　AM2954DM-70
　　AM2954DM-100
　　MCM2954DM