型号：AM2950DMB
　　制造商：AMD
　　存储容量：4K x 1位
　　组织结构：4096字 x 1位
　　电源电压：+5V ±10%
　　访问时间：最大25ns / 35ns / 55ns（根据速度等级）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C），具体取决于版本
　　封装类型：24引脚 DIP（双列直插式封装）
　　输入/输出逻辑电平：兼容 TTL
　　功耗：典型值约 55mW（运行模式），待机模式下低于 10mW
　　读写控制信号：支持片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三线控制
　　封装材料：陶瓷或塑料（视具体后缀而定）
　　总线宽度：1位数据宽度，常用于位并行扩展配置

AM2950DMB作为一款经典的异步静态RAM器件，具备多项关键特性以确保其在复杂电子系统中的高效运行。首先，其高速访问时间为系统提供了快速的数据响应能力，最快速度等级可达25ns，使得它适用于对时序要求严格的实时控制系统，例如雷达信号处理、电话交换机缓存等场景。其次，该芯片采用全静态内核设计，意味着只要供电持续存在，无需动态刷新机制即可保持数据稳定，这不仅简化了外围电路设计，还提高了整体系统的可靠性。
　　此外，AM2950DMB支持低功耗待机模式，当设备处于非活动状态时，通过激活片选信号进入待机模式，显著降低功耗，这对于便携式或电池供电系统尤为重要。其输入输出接口完全兼容TTL电平标准，可以直接与多种微处理器、FPGA和ASIC进行连接，无需额外的电平转换电路，提升了系统集成的便捷性。
　　该器件还具备优异的抗噪性能和宽温工作能力，尤其适用于工业自动化、车载电子和军事通信等恶劣环境下的应用。内部电路经过优化设计，具有良好的抗静电（ESD）保护和过压耐受能力，减少因瞬态干扰导致的数据错误或器件损坏风险。同时，由于其4K×1位的存储结构，多个AM2950DMB芯片可通过并联方式构建更宽的数据总线（如8位、16位系统），实现灵活的系统扩展。
　　值得一提的是，AM2950DMB采用成熟的CMOS工艺制造，在保证性能的同时实现了较低的静态电流消耗，避免了传统NMOS SRAM高功耗的问题。尽管该型号目前已不再由原厂大规模生产，但在二手市场和专业元器件分销渠道中仍有供应，常用于旧设备维修、军工备件替换以及教育实验平台搭建。其长久的生命力也反映了其在特定领域不可替代的技术价值。

AM2950DMB主要用于需要高可靠性和稳定性的中低端密度静态存储应用场景。常见于上世纪八九十年代的工业控制设备中，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表，用作程序缓冲区或临时数据存储单元。在通信领域，该芯片曾广泛应用于程控交换机、调制解调器和早期路由器中，承担帧缓存、地址查找表等功能。
　　此外，由于其单比特数据宽度特性，AM2950DMB特别适合用于位并行扩展系统，比如构建专用的位操作阵列处理器或图像处理前端模块。在军事和航空航天领域，该芯片因其可在宽温度范围内稳定工作且具备较强的抗辐射能力（尤其是陶瓷封装版本），被用于飞行控制系统、导弹导航计算机和卫星遥测设备中。
　　教育科研方面，AM2950DMB也常出现在高校电子工程实验室的教学实验板上，用于讲解SRAM工作原理、存储器接口时序设计以及总线扩展技术。虽然现代系统更多采用更高密度、更高速度的同步SRAM或SDRAM，但在一些老旧设备的维护升级项目中，AM2950DMB仍然是不可或缺的替换元件。

MCM2950DMB
　　Cypress CY7C150DMB
　　IDT7130SA
　　Intel TMS4C250