型号：AM2910ADMB
　　制造商：AMD
　　类型：异步SRAM
　　存储容量：4K x 4位
　　组织结构：4096字 × 4位
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：24引脚CERDIP（陶瓷双列直插封装）
　　访问时间：最大45ns
　　待机电流：典型值为5mA，最大15mA
　　工作电流：典型值为75mA
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：单个输出可驱动一个TTL负载
　　写周期时间：最小100ns
　　读周期时间：最小150ns
　　芯片使能时间（CE）：≤ 45ns
　　输出使能延迟（OE）：≤ 35ns
　　写使能建立时间（WE setup time）：≥ 30ns

AM2910ADMB作为一款军用级高性能CMOS SRAM芯片，具备卓越的环境适应能力和电气稳定性。其最显著的特性之一是宽温工作范围，可在-55°C至+125°C极端温度条件下可靠运行，这使其特别适用于航空航天、国防装备和恶劣工业环境中的关键系统。该芯片采用CMOS工艺制造，相比传统的双极型SRAM，在保持高速性能的同时大幅降低了功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，有助于提升整体系统的能效表现。此外，其45ns的访问时间在当时属于高速级别，能够满足早期微处理器对快速内存响应的需求。
　　该器件具有完整的三态输出控制功能，允许多片存储器共享同一数据总线，从而支持构建更大规模的存储系统。通过芯片使能（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）三个独立控制信号，实现了灵活的读写操作管理。当芯片未被选中时，输出自动进入高阻抗状态，避免总线冲突。AM2910ADMB还具备抗辐射设计特性，部分批次产品经过筛选可用于高可靠性应用场景。其陶瓷DIP封装不仅提供了良好的散热性能，而且具有优异的耐腐蚀性和机械强度，适合长期服役于严苛环境中。
　　另一个重要特点是数据保持能力，在电源电压下降到低于正常工作阈值时，芯片仍可在一定时间内维持存储内容不丢失，配合外部备用电源可实现数据安全保存。所有输入端均内置钳位二极管，防止静电放电（ESD）损坏器件。此外，该芯片经过严格的军品级测试流程，包括温度循环、湿度试验、振动测试等，确保在复杂动态环境下仍能稳定工作。虽然现代SRAM在密度和速度上已远超此型号，但AM2910ADMB因其高可靠性和历史地位，仍是研究早期半导体技术和高可靠性电子系统的重要参考样本。

AM2910ADMB主要用于对可靠性、温度范围和长期稳定性要求极高的专业领域。在军事电子系统中，该芯片曾被广泛应用于雷达信号处理单元、飞行控制系统、导弹导航计算机和通信加密设备中，承担关键数据的高速缓存与临时存储任务。由于其能够在剧烈温度变化和强电磁干扰环境下稳定运行，因此成为许多军用平台的核心存储组件之一。在航空航天领域，该器件用于卫星控制模块、航天器姿态调节系统和地面测控设备，确保在极端空间环境中数据不会因存储故障而丢失。
　　在工业自动化方面，AM2910ADMB常见于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）和分布式I/O系统中，用于存储实时采集的数据、程序代码或中间运算结果。特别是在高温或低温工厂环境中，其宽温特性展现出明显优势。此外，在电信基础设施升级前的时代，该芯片也被用于程控交换机、基站控制器和数字复用设备中，支持话路状态记录和信令缓冲等功能。
　　科研仪器和测试测量设备同样是其重要应用领域，例如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪等高端仪器在其主控板或采集模块中采用了AM2910ADMB，以保证数据采集过程中的高精度与时序一致性。此外，由于该芯片具备较长的产品生命周期记录，一些需要长期维护的老旧系统仍在继续使用该型号进行替换维修。对于从事复古计算机修复的技术人员来说，AM2910ADMB也是还原上世纪七八十年代高性能计算系统的必备元件之一。尽管当前主流设计已转向更高密度的存储方案，但在特定高可靠性场景下，该芯片的应用价值依然不可忽视。

AM2910PCB
　　AM2910DCMB
　　CY7C109BN