型号：AM27S35DC
　　制造商：AMD
　　器件类型：PROM（可编程只读存储器）
　　存储容量：4K x 8 位（共32,768位）
　　组织结构：4096字 × 8位
　　电源电压：+5V ±5%
　　最大访问时间：35ns（典型值）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商用级）或 -55°C 至 +125°C（军用级，视具体后缀而定）
　　封装形式：24引脚 DIP（双列直插式封装）
　　编程方式：一次性可编程（OTP）
　　输出类型：三态输出
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　功耗：典型静态功耗约150mW
　　引脚排列：标准JEDEC 24-pin DIP布局
　　编程电压：VPP通常为+21V或+12.5V（根据编程器规范）

AM27S35DC具备优异的高速读取性能，其典型访问时间为35ns，使其能够无缝集成到高速微处理器系统中，作为固件或引导程序的存储介质。该器件基于双极型晶体管工艺制造，并结合了肖特基二极管钳位技术，有效抑制了饱和效应，从而显著提升了开关速度并降低了传播延迟。这种结构不仅保证了快速的数据响应能力，还增强了信号完整性，减少了因逻辑电平波动引起的误操作风险。其4K×8位的存储结构提供了32KB的总存储空间，在当时的嵌入式系统中属于中等容量，足以容纳小型BIOS、控制表或字符生成ROM等关键数据。器件支持三态输出，允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过片选（CE）和输出使能（OE）信号实现精确的时序控制，避免总线冲突。此外，AM27S35DC的输入引脚与标准TTL电平兼容，可直接与多种逻辑电路和微控制器接口连接，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该PROM采用一次性可编程（OTP）架构，意味着用户只能写入一次数据，之后内容不可更改。这一特性虽然限制了灵活性，但换来了更高的数据安全性和抗篡改能力，特别适用于发布最终版本固件或防止逆向工程的场景。在编程过程中，通常需要施加高于常规工作电压的编程脉冲（如+21V）到特定引脚，由专用编程器完成烧录操作。由于其非易失性，断电后数据不会丢失，可长期保存达十年以上。AM27S35DC还具备良好的环境适应性，部分军用版本可在极端温度条件下稳定运行，满足航空航天和国防应用的需求。尽管现代系统更多采用EEPROM或Flash存储器以获得可重复擦写能力，但AM27S35DC因其成熟可靠的设计、低故障率和长期供货历史，在系统维护和备件替换领域依然保有一定地位。

AM27S35DC广泛应用于需要高可靠性、高速度和固定程序存储的电子系统中。其典型应用场景包括早期微型计算机和嵌入式系统的BIOS或引导ROM，用于在上电时初始化硬件并加载操作系统。在工业控制领域，该芯片常被用来存储PLC（可编程逻辑控制器）中的固定逻辑表、状态机定义或I/O映射信息，确保控制系统在恶劣环境下稳定运行。通信设备如调制解调器、交换机和网络接口卡也曾大量采用此类PROM来存放协议处理代码或地址查找表。此外，AM27S35DC还常见于测试测量仪器中，例如数字示波器或频谱分析仪，用于存储校准数据、字符发生器字体或菜单显示内容。在军事和航空电子系统中，由于其数据不可更改的特性，该器件被用于存储加密密钥、设备标识码或飞行控制软件的固化版本，以增强系统的安全性与抗干扰能力。在消费类电子产品中，老式游戏机、打印机和传真机也利用AM27S35DC实现功能逻辑的硬编码。即使在当前，当面对老旧设备维修或替代方案受限的情况下，AM27S35DC仍是工程师优先考虑的元器件之一，尤其是在无法获取原始设计源码或重新开发成本过高的情境下。其标准化封装和明确的电气特性使得替换和测试变得相对简单，进一步延长了其生命周期。

M27S35DC
　　DM27S35N
　　MBM27S35-35L