制造商：AMD
　　产品类别：可编程只读存储器（PROM）
　　存储容量：32 x 8 位（256位）
　　组织结构：32地址 × 8数据位
　　电源电压：5V ±5%
　　访问时间：典型值45ns
　　编程电压：VPP = 12.5V ~ 13.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：24引脚 DIP（Dual In-line Package）
　　引脚数量：24
　　输入电平：TTL 兼容
　　输出电平：TTL 兼容
　　编程方式：熔丝烧断式（One-Time Programmable, OTP）
　　封装材料：陶瓷或塑料封装（视具体版本而定）
　　最大功耗：约500mW（典型值）

AM27S30DC的核心特性之一是其高速存取能力，典型访问时间为45纳秒，这使得它能够在高频工作的数字系统中快速响应地址输入并输出对应的数据。这一性能得益于其采用的双极型晶体管工艺技术，该技术虽然相比CMOS工艺功耗较高，但提供了更强的驱动能力和更短的传播延迟，非常适合对时序要求严格的应用场合。其输出级设计能够直接驱动多个TTL负载，减少了对外部缓冲器的需求，从而降低了整体系统的复杂性和成本。
　　另一个显著特点是其极端的工作温度范围，从-55°C到+125°C，使其适用于航空航天、军事装备和工业自动化等严苛环境下的应用。这种宽温特性源于其可靠的封装材料选择（如陶瓷DIP）和内部结构优化，确保在温度剧烈变化时仍能维持电气特性的稳定性。此外，器件具有良好的抗辐射和抗电磁干扰能力，进一步增强了其在关键任务系统中的可靠性。
　　AM27S30DC为一次性可编程器件，采用熔丝编程机制，在出厂时所有存储单元默认处于高电平状态（逻辑‘1’），通过施加高于常规电压的编程脉冲（约13V）将指定位置的熔丝烧断，从而将其变为逻辑‘0’。这种不可逆的编程方式保证了数据的高度安全性，防止未经授权的修改，特别适用于存储加密密钥、校准参数或固定控制代码。
　　该芯片还具备良好的直流和交流电气规范，包括明确的高低电平输入阈值、稳定的输出驱动电流以及较低的接地反弹噪声。其地址建立和保持时间要求清晰，便于与各种微处理器和控制器配合使用。尽管没有内置的片选或输出使能逻辑，但可通过外部门电路扩展实现多芯片寻址，适用于构建小型固件库或实现组合逻辑函数表。

AM27S30DC主要应用于需要高可靠性、不可更改数据存储的领域。在20世纪70年代至90年代期间，它被广泛用于早期的计算机系统中，例如作为BIOS固件的载体、键盘编码器的映射表存储、打印机字符生成ROM以及工业控制器中的状态机逻辑实现。由于其TTL兼容性和快速响应特性，常被嵌入在各类数字仪表、测试设备和自动化装置中，用于存储固定的指令序列或查找表（LUT）。
　　在通信系统中，AM27S30DC可用于协议转换器或调制解调器中存储固定的帧格式或校验算法。在军事和航天领域，因其具备宽温工作能力和抗干扰特性，常用于雷达信号处理模块、飞行控制系统和导弹导航设备中，作为启动代码或配置参数的永久存储介质。
　　此外，该芯片也常用于实现组合逻辑函数，替代复杂的门电路设计。例如，在状态译码、地址译码或I/O端口映射中，利用其32×8的结构预先写入真值表，可大幅简化硬件设计并提高系统稳定性。即使在当今时代，该器件仍在老旧设备维修、历史计算机复刻项目以及教育实验平台中发挥着作用，帮助工程师理解早期存储技术和数字系统架构。随着现代可编程逻辑器件的发展，这类PROM虽已退出主流市场，但其设计理念仍对当前非易失性存储技术有深远影响。

M27S30DC
　　DM7S30N
　　MM27S30N
　　TMS27S30