制造商：AMD
　　产品系列：27S25
　　存储类型：异步SRAM
　　存储容量：4K x 4 位（共16Kb）
　　接口类型：并行
　　供电电压：+5V ±5%
　　访问时间：15ns / 20ns / 25ns（根据速度等级）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C（军用级）或 0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装形式：28引脚CerDIP（陶瓷双列直插封装）
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　最大读取电流：约 200mA
　　待机功耗：典型值低于 50mW
　　三态输出：支持
　　写使能控制：有
　　片选信号（CE）：支持低电平有效
　　输出使能（OE）：低电平有效

AM27S25DMB 采用先进的双极型（Bipolar）工艺技术制造，这使得它在读写速度方面表现出色，能够实现纳秒级别的访问时间，满足高速数据交换的需求。其核心优势在于极短的访问延迟，典型值为15ns至25ns之间，具体取决于器件的速度分级。这种级别的响应速度使其非常适合用于需要即时响应的关键任务系统中，例如雷达信号处理、高频交易系统前端缓存或飞行控制系统中的临时数据存储。该芯片内部结构为4K x 4位组织方式，即每个地址存放4位数据，总共提供16K比特的存储空间，虽然在现代标准下容量较小，但在专用逻辑电路和状态机设计中仍然具有实用价值。
　　该器件具备完整的三态输出控制功能，允许其数据引脚在未被选通时呈现高阻态，从而避免总线冲突，支持多芯片共享同一数据总线，提升了系统扩展能力。此外，芯片配备独立的片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）控制信号，提供了灵活的操作时序控制，便于与各种微处理器、FPGA 或 ASIC 接口进行无缝对接。所有输入端均兼容 TTL 电平，降低了外部电平转换的需求，简化了电路设计。
　　AM27S25DMB 提供宽温工作范围选项，特别是军用级版本可在 -55°C 至 +125°C 极端环境下稳定运行，具备出色的热稳定性和抗电磁干扰能力，适用于严苛工业、航空电子和国防应用。其陶瓷DIP封装不仅增强了散热性能，还提高了长期使用的可靠性，尤其适合高振动、高湿或存在腐蚀性气体的环境中使用。尽管其功耗相比现代CMOS SRAM较高，但其速度和稳定性在特定领域仍具竞争力。此外，该芯片经过长期市场验证，拥有成熟的配套设计资料和技术支持资源，是许多遗留系统升级或维修时的重要参考型号。

AM27S25DMB 被广泛应用于对速度和可靠性要求极高的专业领域。首先，在军事与航空航天系统中，该芯片常用于雷达信号处理单元、飞行控制计算机和卫星通信模块中，作为高速暂存缓冲区来存储关键中间计算结果或指令队列。由于其具备军用级温度适应能力和高抗辐射特性（在某些筛选版本中），能够在极端环境下保持稳定运行，因此成为许多国防项目中的首选存储器件之一。其次，在电信基础设施中，如程控交换机、光网络节点设备和基站控制器中，AM27S25DMB 可用于实现快速查找表、协议解析缓存或中断向量存储等功能，保障数据传输的低延迟与高吞吐。
　　在工业自动化领域，该芯片也常见于PLC（可编程逻辑控制器）、高端数控机床和实时监控系统中，用于存储实时采集的数据流或执行过程中的状态标志位。由于其异步访问特性，无需时钟同步即可完成读写操作，特别适合与老式微处理器（如8086、68000系列）或专用ASIC 配合使用。此外，在测试与测量设备（如示波器、频谱分析仪）中，AM27S25DMB 常被用来构建高速采样数据的临时缓存区，以确保信号捕获过程中不丢失任何细节信息。
　　另外，由于其封装形式为标准28引脚DIP，易于手工焊接和更换，因此在原型开发、实验室调试以及老旧设备维护中具有很高的实用性。即使在当前高度集成化的趋势下，AM27S25DMB 依然因其成熟可靠的设计而保留在许多关键系统的BOM清单中，尤其是在无法轻易更换主控架构的升级改造项目中，作为兼容性解决方案持续发挥作用。

M27S25, DM7S25, MB84256