时间:2025/12/28 2:38:57
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AM27S25ADC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)公司生产的可编程只读存储器(PROM),具体为一种紫外线可擦除、可编程只读存储器(UV-EPROM)。该器件属于AM27S系列,典型容量为16K位(2048 x 8位),即2KB的存储空间。其主要用途是在工业控制、通信设备、消费电子以及早期计算机系统中用于固化程序代码或固定数据表。AM27S25ADC采用标准的双列直插封装(DIP),通常为24引脚,封装顶部设有石英窗口,允许通过紫外线照射对芯片内容进行擦除,从而实现重复编程。由于其非易失性特性,在断电后仍能保持所存储的数据,因此在需要长期稳定保存数据且不频繁更新的应用场景中表现优异。该芯片的工作电压通常为+5V,兼容TTL电平,便于与多种微处理器和逻辑电路接口连接。尽管现代系统更多采用EEPROM或Flash存储器以实现电擦除功能,但AM27S25ADC因其高可靠性、成熟工艺和广泛兼容性,在某些工业备件、维修替换和复古电子项目中仍有使用。
制造商:AMD
类型:UV-EPROM
存储容量:16Kbit (2k x 8)
封装类型:24-DIP
工作电压:5V ±10%
访问时间:典型值250ns
编程电压:+21V至+25V
工作温度范围:0°C 至 +70°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
引脚数:24
擦除方式:紫外线擦除(典型曝光时间15-20分钟)
输出类型:三态输出
兼容标准:TTL电平兼容
AM27S25ADC的核心特性之一是其紫外线可擦除功能,这使得用户能够在芯片编程出错或需要更新固件时,通过将芯片暴露在波长为253.7nm的紫外线下约15至20分钟,彻底清除内部存储单元中的电荷,从而恢复到全“1”状态,之后可重新进行编程。这一机制虽然比现代电可擦除器件(如EEPROM或Flash)更为繁琐,但在其设计年代是一种可靠且经济的数据保持方案。
该芯片采用浮栅MOSFET技术,每个存储单元由一个浮栅晶体管构成,编程时通过施加高压(通常为21V以上)使电子隧穿进入浮栅,改变晶体管阈值电压,从而表示“0”或“1”。一旦编程完成,浮栅上的电荷可在无电源情况下保持多年(典型数据保持时间为10年以上),具备出色的非易失性。此外,AM27S25ADC支持三态输出控制,允许其数据总线直接连接到微处理器系统总线上,通过片选(CE)和输出使能(OE)信号实现多设备共享总线操作,有效提升系统集成度。
在电气特性方面,AM27S25ADC具有良好的噪声抑制能力和稳定的读取性能,适用于工业环境下的嵌入式控制系统。其250ns的访问时间在当时属于中高速水平,能够满足大多数8位和16位微处理器的时序要求。同时,该器件在制造过程中经过严格筛选和测试,具备较高的良品率和一致性,确保批量应用中的稳定性。虽然目前已停产,但由于其广泛的应用历史,仍可在二手市场或库存渠道中获取,常用于老旧设备维护、教学演示或复古计算项目中。
AM27S25ADC广泛应用于20世纪70年代至90年代的各类电子系统中,尤其是在需要固化程序代码或常量数据的场合。常见应用包括工业自动化控制器中的固件存储,例如PLC(可编程逻辑控制器)的引导程序或配置表;在通信设备中用于存储协议转换表或字符映射表;在早期的计算机外围设备如打印机、终端机中用于存放字体库或控制逻辑;也常见于测试仪器、医疗设备和军事电子系统中作为可靠的非易失性存储解决方案。
此外,由于其结构简单、接口清晰,AM27S25ADC被广泛用于电子工程教学和实验平台,帮助学生理解存储器的工作原理、地址译码、总线时序以及编程烧录过程。在一些DIY爱好者和复古计算社区中,该芯片也被用于复刻经典计算机系统(如Apple II、Commodore等)的ROM模块,或在自制单板计算机项目中实现自定义BIOS功能。尽管现代设计已普遍转向更先进的存储技术,但在设备维修、备件替换和遗产系统维护领域,AM27S25ADC依然具有不可替代的价值。
MCM27S25BP
Intel 27S25
Texas Instruments TMS27S25
Fairchild F27S25
NEC μPD27S25