型号：AM27S02DC
　　制造商：AMD
　　存储类型：掩膜ROM（Mask ROM）
　　存储容量：512 × 8 位（4Kb）
　　封装类型：24引脚DIP（Dual In-line Package）
　　工作电压：+5V ±5%
　　存取时间：典型值35ns，最大值55ns
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出逻辑电平：TTL兼容
　　三态输出：支持
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　功耗：典型静态电流约80mA，动态功耗随频率增加而上升
　　地址输入：A0-A8（共9位）
　　数据输入/输出：I/O0-I/O7（8位双向，但ROM中通常为只读）
　　控制引脚：Chip Enable (CE)，Output Enable (OE)
　　引脚间距：2.54mm（标准DIP）

AM27S02DC的核心特性之一是其基于肖特基二极管钳位的TTL电路设计，这种结构显著提升了开关速度并减少了传播延迟。肖特基工艺通过在晶体管的基极-集电极之间接入肖特基二极管，防止晶体管进入深度饱和状态，从而加快了器件的关断速度，这对于实现纳秒级的存取时间至关重要。该芯片的典型存取时间为35ns，在当时属于高性能级别，适用于对时序要求严格的系统应用，如实时控制系统、视频处理设备和高频信号发生器等。此外，其输出驱动能力较强，能够直接驱动多个TTL负载，减少了对外部缓冲器的需求。
　　另一个关键特性是其掩膜编程方式。AM27S02DC的内容在制造过程中通过光刻掩膜确定，一旦出厂便不可更改。这种方式虽然缺乏灵活性，但具有极高的数据安全性、抗辐射性和长期稳定性，适合大批量生产且程序固定的场景。由于无需用户自行编程，避免了编程错误或误擦写的风险，特别适用于军事、航空航天和工业自动化等高可靠性领域。同时，掩膜ROM的成本在大规模应用中远低于可编程器件，进一步增强了其经济优势。
　　该芯片具备双控制信号：片选（CE）和输出使能（OE），允许系统灵活地管理存储器的激活与数据输出。当CE有效时，芯片被选中；而OE则独立控制输出缓冲器的状态，实现总线隔离。这种分离式控制机制使得多个存储芯片可以共享同一数据总线而不发生冲突，提升了系统的扩展能力。此外，AM27S02DC的引脚布局遵循JEDEC标准，便于与其他TTL或LSI器件接口，简化了系统设计。尽管其功耗相对现代CMOS器件较高，但在当时的技术背景下仍属于高效能产品，尤其在需要持续高频率访问的应用中表现出色。

AM27S02DC主要用于需要固定程序存储的嵌入式系统和数字逻辑电路中。在20世纪70年代末至90年代初，它广泛应用于各类工业控制设备，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表中，用于存储启动代码、控制算法或字符生成表。在通信领域，该芯片常被用作协议转换器中的查找表，或将特定编码规则固化于硬件中以提升处理效率。此外，在早期的计算机系统和终端设备中，AM27S02DC常作为BIOS或监控程序的载体，负责系统的初始化和基本输入输出服务（BIOS功能雏形）。
　　在测试与测量仪器方面，如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中，AM27S02DC可用于存储校准数据、显示字体或菜单信息，确保设备在每次开机时都能快速加载预设配置。在消费电子中，部分高端音响设备、游戏机主板和打印机控制器也曾采用此类ROM来保存固件程序，以保证运行的稳定性和一致性。此外，在军事和航空电子系统中，由于其高可靠性和抗干扰能力，AM27S02DC被用于雷达信号处理模块、导航系统和飞行控制单元中，执行关键的任务调度和数据映射功能。
　　尽管目前已被更先进的非易失性存储器取代，AM27S02DC仍在设备维修、备件替换和复古计算项目中发挥着作用。许多老式工业设备仍在运行，维护这些系统需要原型号或功能兼容的替代品。因此，了解其电气特性和接口时序对于工程师进行系统诊断、故障排查和升级改造具有重要意义。同时，该芯片也是电子爱好者研究早期数字系统架构和学习存储器原理的重要实物教材。

M27S02DC
　　DM27S02N
　　MM27S02BN