型号：AM27S02/BJA
　　制造商：AMD
　　存储容量：512 x 4位（2K位）
　　组织结构：512字 × 4位
　　封装形式：24引脚DIP（Dual In-line Package）
　　工作电压：+5V ±5%
　　典型存取时间：35ns / 55ns（依具体版本）
　　编程电压：+25.5V（VPP）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　输入电平：TTL兼容
　　输出电平：TTL兼容
　　最大功耗：约500mW（典型值）
　　编程脉冲宽度：50μs ~ 100μs
　　三态输出：支持
　　引脚数：24
　　存储器类型：一次性可编程（OTP）PROM
　　工艺技术：双极型肖特基TTL

AM27S02/BJA的核心特性之一是其高速访问能力，典型存取时间可低至35ns，这使其在20世纪70年代末至90年代广泛应用于需要快速固件读取的计算机系统和工业控制器中。其基于双极型肖特基二极管-晶体管逻辑（Schottky TTL）工艺，不仅保证了信号传输的高速性，还通过肖特基钳位有效防止晶体管饱和，从而显著降低开关延迟。这种工艺使得AM27S02在不牺牲速度的前提下具备较好的抗噪声能力和驱动能力，输出可直接驱动多达10个标准TTL负载，减少了对外部驱动电路的需求，简化了系统设计。
　　另一个重要特性是其一次性可编程（OTP）结构。用户可在系统开发完成后，使用专用编程器在VPP引脚施加+25.5V高压，通过精确控制编程脉冲（通常50μs至100μs）将数据烧录进熔丝型存储单元。一旦编程完成，熔丝永久断开，数据不可更改，从而确保了内容的安全性和不可篡改性，适用于需要防篡改固件存储的应用，如加密模块、校准表或启动引导程序。此外，该器件在正常工作条件下具有优异的数据保持能力，通常可保证20年以上的数据保存期，适合长期运行的设备。
　　AM27S02/BJA具备标准的地址与数据接口，10位地址线（A0-A9）用于选择512个存储单元，4位数据输出（O0-O3）采用三态缓冲输出，支持多芯片并行扩展。当片选信号（CE）有效时，芯片输出当前地址对应的数据；当CE无效时，输出进入高阻态，允许多个存储器共享同一数据总线。该特性使其易于集成到基于总线架构的系统中，如微处理器或微控制器系统。此外，其+5V单电源供电设计与当时主流的数字系统完全兼容，无需额外电源转换电路，提升了系统的可靠性与稳定性。尽管功耗相对现代CMOS器件较高，但在其设计时代属于合理水平，并且在短时高频读取场景下表现优异。

AM27S02/BJA主要用于需要固定程序或数据存储的电子系统中，尤其是在微处理器系统的启动引导（Boot ROM）、字符发生器（Character Generator）、工业控制逻辑固化、通信协议查找表以及仪器仪表的校准数据存储等方面发挥重要作用。例如，在早期的终端设备或打印机中，该芯片可用于存储ASCII字符的点阵图形，供显示或打印时调用。在自动化控制系统中，它可用于实现状态机逻辑或I/O映射表，替代复杂的组合逻辑电路，提升系统灵活性与可维护性。
　　在通信设备中，AM27S02常被用作协议编码转换表或调制解调查找表，实现快速的数据映射与处理。由于其高速读取特性，适合用于实时性要求较高的场合，如雷达信号处理前端或测试测量设备中的波形生成。此外，在军事和航空航天领域，由于其高可靠性和抗干扰能力，该类PROM曾被用于飞行控制系统或导弹导航模块中的固定参数存储。
　　在教育和实验环境中，AM27S02也被广泛用于数字逻辑课程的教学实验，帮助学生理解存储器工作原理、地址译码机制以及PROM在组合逻辑实现中的应用，如用PROM实现任意真值表功能。尽管当前已被Flash、EEPROM等可重复擦写存储器取代，但在老旧设备维修、备件替换或特定高辐射环境下（因双极器件抗辐照性能较好）仍有实际应用需求。此外，在一些无法使用现代存储器的逆向工程或复古计算项目中，AM27S02/BJA也具有收藏和实用双重价值。

MMS27S02
　　DM27S02
　　MBM27S02
　　NTE27S02
　　SGS27S02