AM27H010-DC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)生产的高速、高性能的5V UV EPROM(紫外线可擦除可编程只读存储器),其容量为128K × 8位,即1兆位(1Mbit),组织方式为并行访问。该芯片采用标准的JEDEC 32引脚DIP(双列直插式封装)或PLCC(塑料引线芯片载体)封装形式,广泛应用于需要非易失性程序存储的工业控制、通信设备、嵌入式系统和老式计算机系统中。AM27H010-DC中的“H”代表高速版本,典型访问时间有120ns、150ns等选项,适用于对读取速度要求较高的应用场景。后缀“DC”通常表示器件的工作温度范围为商业级(0°C 至 +70°C),并符合相关的电气和可靠性规范。该器件通过紫外线照射芯片顶部的石英窗口来实现数据的擦除,允许用户多次重新编程,适合开发和小批量生产环境使用。
AM27H010-DC支持CMOS和TTL电平兼容,具有低功耗待机模式,在未被选中时自动进入低功耗状态,有助于节省系统能耗。芯片内部结构采用浮动栅MOS技术,确保数据在断电后仍能长期保存(典型数据保持时间为10年以上)。为了防止未经授权的读取或复制,该器件不内置加密机制,因此在安全性要求较高的场合需配合外部保护措施。尽管随着闪存技术的发展,UV EPROM已逐渐被更先进的EEPROM和Flash取代,但AM27H010-DC仍在一些遗留系统维护、军工设备升级和特定工业设备中保持使用价值。
型号:AM27H010-DC
制造商:AMD
存储容量:128K × 8位(1Mbit)
封装类型:32引脚 DIP 或 PLCC
电源电压:+5V ±5%
工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
最大存取时间:120ns / 150ns(根据具体子型号)
编程电压:+12.5V(VPP)
输入逻辑电平:TTL 兼容
输出驱动能力:可直接驱动标准TTL负载
数据保持时间:≥10年(典型值)
擦除方式:紫外线曝光(波长253.7nm,能量≥15W·sec/cm2)
编程脉冲宽度:100μs(典型)
封装材料:陶瓷或塑料带石英窗口
AM27H010-DC具备出色的读取性能和稳定性,典型访问时间为120ns或150ns,能够在高频系统总线下稳定运行,满足大多数8位和16位微处理器系统的时序需求。其高速核心阵列设计结合优化的地址解码电路,有效降低了地址建立和保持时间的要求,提高了系统整体响应速度。该器件采用先进的CMOS/TTL兼容输入缓冲器,确保在不同逻辑电平环境下均能可靠工作,增强了与其他数字逻辑器件的互操作性。在电源管理方面,AM27H010-DC具备功率下降模式(Power-Down Mode),当片选信号CE和输出使能OE处于非激活状态时,芯片自动进入低功耗待机状态,显著降低静态电流消耗,从而延长系统电池寿命或减少散热压力。
该芯片的紫外线可擦除特性使其非常适合于研发阶段的固件调试与迭代更新。用户可通过专用EPROM编程器将程序写入芯片,并在发现错误后使用UV擦除灯清除内容,重复编程次数可达数百次。其封装顶部设有透明石英窗口,允许紫外线穿透至硅芯片表面以释放浮栅中的电荷,完成擦除操作。为防止意外曝光导致数据丢失,建议在正常使用时用不透明标签覆盖窗口。此外,AM27H010-DC在制造过程中经过严格筛选和测试,保证了高良率和长期使用的可靠性,尤其适用于恶劣工业环境下的关键任务应用。其抗干扰能力强,噪声容限高,能在复杂电磁环境中稳定工作。虽然不具备在线电擦除功能,但其物理结构简单、故障率低,是许多高可靠性系统中的首选存储方案之一。
AM27H010-DC主要用于需要非易失性程序存储且对成本和可靠性有较高要求的应用场景。典型应用包括工业自动化控制系统中的PLC(可编程逻辑控制器)固件存储、通信基站和交换设备中的引导程序(Bootloader)存储、医疗仪器中的校准数据和操作代码保存、航空航天领域的嵌入式控制模块以及老式计算机和终端设备的BIOS存储。由于其并行接口架构,该芯片常用于基于8051、8086、68000等经典微处理器的系统中,作为主程序存储器使用。
在研发和教育领域,AM27H010-DC因其可重复擦写特性而被广泛用于单板机实验平台、电子工程教学实验箱和FPGA/ASIC验证系统中,便于学生和工程师进行固件开发与调试。此外,在军事和航天项目中,由于某些老旧系统仍在服役,AM27H010-DC也用于备件替换和系统升级。尽管现代设计更多转向串行Flash或SPI NOR Flash,但在需要宽数据总线和快速随机访问的场合,AM27H010-DC依然具有不可替代的优势。特别是在强辐射或高温波动环境中,其成熟工艺和长期验证的历史使其成为值得信赖的选择。
27C010
M27C010
SST39SF010A
AT27C010