时间：2025/9/30 6:54:25
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AM27H010-70JC是一款由AMD（现为ON Semiconductor等公司接手部分产品线）生产的高速CMOS EPROM（可擦除可编程只读存储器），容量为128K x 8位，即总容量为1Mbit。该器件采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点，适用于需要非易失性程序或数据存储的应用场景。其型号中的“27H”代表其为EPROM系列，“010”表示其存储容量为1Mbit，“70”表示其最大访问时间为70纳秒，属于高速型号。“JC”通常指其封装形式为JEDEC标准的32引脚DIP（双列直插式封装）。
该芯片通过紫外线照射窗口进行整体擦除，支持重复编程，常用于工业控制、通信设备、嵌入式系统及老式计算机系统中。由于其非易失性和可编程特性，AM27H010-70JC在系统启动代码、固件存储等方面具有广泛应用。此外，该器件工作电压为5V，兼容TTL电平，便于与多种微处理器和逻辑电路接口。尽管随着闪存技术的发展，此类并行接口EPROM已逐渐被取代，但在一些维护现有系统或对长期稳定性和可预测性要求较高的场合，AM27H010-70JC仍具使用价值。
型号：AM27H010-70JC
制造商：AMD (现授权/转移至ON Semiconductor等)
存储容量：128K x 8位 (1Mbit)
存储类型：CMOS EPROM
访问时间：70ns
供电电压：5V ±10%
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装类型：32-pin DIP (Ceramic DIP with Window)
接口类型：并行
编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（根据具体版本）
待机电流：典型值100μA
工作电流：典型值40mA
擦除方式：紫外线擦除（约15-20分钟于强紫外线下）
输出电平：TTL兼容
组织结构：131,072 x 8
AM27H010-70JC采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了静态和动态功耗，相较于传统的NMOS EPROM，在保持高速性能的同时实现了更低的能耗，特别适合对功耗敏感但又需非易失性存储的应用环境。其70ns的快速访问时间确保了在高频系统时钟下仍能提供无等待状态的数据读取能力，支持高速微处理器直接运行程序代码，提升了系统响应速度。
该器件具备高可靠性设计，数据保存时间长达10年以上，即使在恶劣环境下也能保证信息不丢失。其陶瓷DIP封装带有石英窗口，允许用户通过紫外线照射完成芯片内容的完全擦除，从而实现多次重复编程。编程过程中支持两种VPP电压模式（+12.5V或+21V），增强了与不同编程器的兼容性。此外，内置的上电复位电路和编程保护机制有效防止误写入或损坏。
AM27H010-70JC具有良好的抗干扰能力和宽温工作范围，适用于工业级应用环境。所有输入端均具备噪声抑制功能，确保在复杂电磁环境中稳定运行。输出驱动能力强，可直接驱动多个TTL负载，简化了外围电路设计。其引脚布局符合JEDEC标准，便于PCB布板和替换升级。此外，该芯片在制造时经过严格筛选和测试，确保批次一致性与长期供货稳定性，是许多关键任务系统的首选存储解决方案之一。
尽管现代系统更多采用串行闪存或EEPROM，但AM27H010-70JC因其并行接口带来的高吞吐率、确定性访问延迟以及无需驱动程序即可映射到内存空间的优势，在仿真器、开发系统、航空电子设备和军事装备中仍有不可替代的地位。
AM27H010-70JC广泛应用于需要可靠、可重复编程非易失性存储的场合。典型应用包括工业控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表，其中程序代码需长期保存且可能需要现场更新。在通信设备中，该芯片用于存储引导程序、配置参数或协议栈代码，尤其是在老式交换机、路由器和调制解调器中较为常见。
此外，该器件也常用于嵌入式开发系统和仿真器中，作为目标系统的程序存储器，方便工程师调试和验证软件。在军事与航空航天领域，由于其高可靠性和抗辐射特性（部分军品级版本），AM27H010被用于雷达系统、导航设备和飞行控制单元中。
教育和科研机构也使用该芯片进行计算机组成原理、微控制器系统设计等教学实验，帮助学生理解存储器的工作机制和编程过程。同时，在一些复古计算项目或电子爱好者DIY项目中，AM27H010-70JC因其易于获取和操作而受到欢迎。其紫外线擦除特性虽然不如现代闪存便捷，但却提供了物理层面的安全擦除机制，适用于对数据安全性有特殊要求的场景。
AT27C010-70JC
MBM27H010-70JC
SST39SF010A
Intel F28F016S
