时间：2025/9/30 11:39:22
阅读：21
AM27C64250DC 是一款由AMD（Advanced Micro Devices）生产的高性能、低功耗的5V紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM），其存储容量为64千位（8KB）。该器件采用标准的28引脚DIP（双列直插式封装）或PLCC（塑料引线芯片载体）封装，广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及老旧计算机系统中。AM27C64250DC中的'250'表示其最大访问时间不超过250纳秒，适用于中等速度要求的应用场景。该芯片通过紫外线照射芯片顶部的石英窗口来实现整体擦除，之后可重新编程，适合开发和调试阶段频繁更新固件的场合。由于其成熟的技术和广泛的兼容性，AM27C64250DC在许多传统系统中仍具有重要地位。尽管现代设计越来越多地采用闪存或其他EEPROM技术，但AM27C64250DC因其可靠性和长期供货历史，在一些维修、替换和特定工业应用中依然被使用。
型号：AM27C64250DC
制造商：AMD
存储类型：UV-EPROM
存储容量：64 Kbit (8 KB)
组织结构：8K x 8
工作电压：5V ±10%
访问时间：250 ns
封装类型：28-DIP 或 28-PLCC
工作温度范围：0°C 至 +70°C
编程电压：+12.5V 或 +21V（取决于具体编程模式）
擦除方式：紫外线擦除（典型曝光时间约20–30分钟）
输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
待机电流：≤ 100 μA
工作电流：≤ 75 mA
AM27C64250DC 采用先进的浮栅CMOS技术制造，具备高可靠性和长期数据保持能力，典型数据保存时间可达10年以上，确保在断电情况下程序信息不会丢失。该器件支持标准的编程算法，可通过通用EPROM编程器进行烧录，编程电压通常为+12.5V或+21V，具体取决于编程规范。其250ns的访问时间使其能够满足大多数8位和16位微处理器系统的时序要求，例如与Intel 8086、8051、Z80等处理器配合使用。芯片具备双态输出控制，包括片选（CE）和输出使能（OE）信号，允许其灵活地集成到复杂地址译码系统中，并支持低功耗待机模式，当设备未被选中时自动进入低电流状态，有助于降低系统整体功耗。
该器件的封装顶部设有透明石英窗口，允许用户通过紫外线光源对芯片内容进行完全擦除，从而实现多次重复编程，非常适合研发、测试和小批量生产环境。此外，AM27C64250DC具有出色的抗干扰能力和宽裕的噪声容限，能够在工业级电磁环境中稳定运行。为了防止误写入，该芯片还内置了编程禁止功能，只有在正确施加编程脉冲和地址/数据信号时才会接受新数据。所有输入端均具备静电放电（ESD）保护电路，提高了器件在实际操作中的耐用性。虽然现代系统多采用电可擦除存储器（如Flash或EEPROM），但AM27C64250DC凭借其成熟的设计、易于验证的编程结果和良好的互操作性，仍在教育、维修和遗留系统升级中发挥重要作用。
AM27C64250DC 主要用于需要可重复编程非易失性存储的场合，广泛应用于工业控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表。在通信设备中，它常被用来存放启动代码或配置参数，尤其是在老式调制解调器、交换机和网络接口卡中。此外，该芯片也常见于嵌入式开发系统、单板计算机和教学实验平台，作为学习微处理器系统架构和程序加载机制的教学工具。在消费电子领域，一些早期的打印机、传真机和音响设备也采用此类EPROM存储引导程序或用户界面代码。由于其可通过紫外线擦除并重新编程，因此特别适用于研发实验室和原型开发阶段，工程师可以反复修改和验证程序代码而无需更换硬件。在军事和航空航天领域的某些老旧系统中，AM27C64250DC也被用于关键程序的存储，因其经过长期验证且具备较高的环境适应性。此外，在电子维修服务中，该芯片常被用于替换损坏的原始EPROM，恢复设备正常功能。
M27C642-25F1
TMS27C64-25
everspin MR25H64
