AM27C49-55DC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)生产的高性能、低功耗的512K × 8位一次性可编程只读存储器(OTP EPROM)。该器件采用CMOS工艺制造,具备高可靠性和稳定的性能,广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统和工业控制设备中。AM27C49-55DC支持标准的5V电源供电,能够在工业级温度范围内稳定运行,适用于严苛的工作环境。该芯片封装形式为DIP(双列直插式封装),便于手工焊接和原型开发,同时也兼容自动装配流程。作为一款经典的EPROM产品,AM27C49-55DC通过紫外线擦除方式实现程序清除,用户可在编程后进行多次修改(需物理擦除),适合研发阶段或小批量生产使用。
该芯片具有快速的访问时间,典型值为55纳秒,能够满足高速微处理器系统的时序要求。其内部结构组织为524,288位,按512K字节(即524,288×8)排列,地址总线宽度为19位(A0-A18),数据总线为8位(I/O0-I/O7)。芯片工作模式包括读取模式和待机模式,通过CE#(片选)和OE#(输出使能)信号控制数据输出,有效降低系统功耗。此外,AM27C49-55DC内置噪声抑制电路和输出三态缓冲器,提高了抗干扰能力和与微处理器接口的兼容性。
制造商:AMD
产品系列:AM27C
存储容量:512 K × 8 位
电压范围:4.5V 至 5.5V
访问时间:55 ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:DIP-32
编程电压:VPP = 12.5V 或 21V(根据版本)
封装形式:Ceramic DIP with Window (Windowed Ceramic DIP)
输入逻辑电平:TTL 兼容
输出类型:三态
引脚数:32
存储类型:OTP EPROM
最大工作频率:约 18 MHz(基于55ns访问时间)
AM27C49-55DC具备优异的电气特性和可靠性设计,使其在多种应用场景中表现出色。首先,其55ns的快速存取时间确保了与高速微控制器和微处理器的良好匹配,能够在复杂的实时控制系统中提供及时的指令响应。芯片采用CMOS技术,在保证高性能的同时显著降低了静态和动态功耗,尤其在待机模式下电流消耗极低,有助于延长系统电池寿命或减少散热需求。
其次,该器件具备出色的耐久性和数据保持能力。典型的编程耐久性可达100次以上(即可以重复擦除和重写约100次),而数据保存时间在正常环境下可超过20年,即使在高温高湿条件下也能维持较长时间的数据完整性。这对于长期部署的工业设备或军事应用尤为重要。
再者,AM27C49-55DC集成了多种保护机制,如上电复位同步功能、噪声滤波电路以及对VCC上升时间的容忍设计,防止因电源波动导致误操作或数据损坏。其TTL电平兼容性简化了与常见数字逻辑电路的接口设计,无需额外的电平转换电路。
此外,陶瓷DIP封装带有石英窗口,允许用户通过紫外线照射(通常波长为253.7nm,照射时间约15-30分钟)对芯片内容进行擦除,从而实现反复开发调试。这种灵活性使得它成为研发实验室和小批量定制项目中的理想选择。尽管现代系统更多转向Flash存储器,但AM27C49-55DC因其稳定性、抗辐射能力和确定性读取行为,仍在某些高可靠性领域持续使用。
AM27C49-55DC主要用于需要可靠、非易失性程序存储的应用场景。典型应用包括工业自动化控制系统,例如PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床和过程监控设备,其中固件需要长期稳定运行且不易频繁更新。在通信设备中,该芯片可用于存储启动代码、协议栈或配置参数,尤其是在老旧交换机、路由器或调制解调器中仍有广泛应用。
此外,该器件也常见于测试测量仪器,如示波器、频谱分析仪和数据采集系统,用于存放校准数据、引导程序或用户界面代码。在军事和航空航天领域,由于其抗辐射性能和宽温工作能力,AM27C49-55DC被用于雷达系统、导航设备和飞行控制单元中,承担关键的程序存储任务。
教育和科研机构常使用该型号进行计算机体系结构、嵌入式系统教学及实验开发,因其透明的操作机制和直观的编程/擦除流程,有助于学生理解非易失性存储原理。同时,在一些复古计算项目或电子爱好者社区中,AM27C49-55DC也被用来复刻经典计算机或游戏机的BIOS程序。
虽然随着技术进步,Flash和EEPROM逐渐取代了EPROM在主流市场的地位,但在无法接受意外写入风险或要求极端稳定性的场合,AM27C49-55DC仍具不可替代的优势。
AM27C4096-55DC
M27C4096-55B1
SST39SF040-55-4C-PHE