AM27C256-200LC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)生产的256Kbit(32K x 8)的高性能CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该器件属于AM27C系列,采用先进的浮栅CMOS技术制造,具有低功耗、高可靠性和长期数据保持能力等特点。AM27C256-200LC广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信设备、消费类电子产品以及老旧计算机系统的固件存储等。该芯片封装形式为标准的28引脚DIP(双列直插式封装),便于手工焊接和在原型板上使用,同时支持紫外线擦除和重复编程,适合开发和调试阶段频繁更新代码的应用场景。
该器件的工作电压为5V ±10%,支持标准的TTL电平接口,能够与大多数微处理器和微控制器直接兼容。其访问时间为200纳秒,适用于中等速度要求的应用环境。由于采用了CMOS工艺,AM27C256-200LC在静态工作状态下功耗极低,典型待机电流仅为100μA,显著优于早期的NMOS EPROM器件。此外,该芯片内置了编程电压自升压电路,可在内部生成所需的编程高压(Vpp),从而简化了外部电路设计。
容量:256 Kbit (32K x 8)
电压:5V ±10%
访问时间:200 ns
封装类型:28-pin DIP
工作温度:0°C 至 +70°C
编程电压:12.5V 或 内部生成
输入逻辑电平:TTL 兼容
输出驱动:单输出
擦除方式:紫外线擦除(约需15~20分钟,通过石英窗口)
数据保持时间:≥10年(典型值)
待机电流:100 μA(典型)
工作电流:40 mA(最大)
AM27C256-200LC具备多项关键特性,使其成为经典EPROM应用中的理想选择。首先,该芯片采用高性能CMOS技术制造,显著降低了动态和静态功耗,相比传统NMOS EPROM更加节能,尤其适合对功耗敏感的应用场合。其200ns的存取时间确保了在大多数中低速系统中实现快速指令读取,满足微处理器系统的性能需求。芯片提供256Kbit的存储容量,组织为32K字节×8位结构,地址总线为15位(A0-A14),数据总线为8位(DQ0-DQ7),引脚布局符合行业标准,易于替换同类器件或进行系统升级。
其次,AM27C256-200LC支持标准的UV擦除方式,用户可通过封装顶部的石英窗口暴露于紫外线光源下(通常波长为253.7nm,强度不低于15mW/cm2)进行批量擦除操作,整个过程大约需要15到20分钟即可完成。擦除后芯片内容全部恢复为‘1’状态,允许重新编程写入新的固件或程序代码。这种可重复编程的特性极大地方便了产品开发、调试和小批量生产过程。
再者,该器件集成了内部电荷泵电路,在编程时可自动生成所需的高压(约12.5V),无需外部提供复杂的高压电源,从而简化了编程器设计和使用流程。同时,它支持两种编程模式:常规编程和快速编程,配合合适的编程设备可实现高效烧录。此外,AM27C256-200LC具有出色的抗干扰能力和高噪声容限,能够在恶劣电磁环境下稳定运行。其数据保持时间长达十年以上,且耐受数千次的编程/擦除周期,表现出卓越的可靠性与耐用性,适用于长期部署的关键系统中。
AM27C256-200LC主要应用于需要非易失性程序存储且对成本和兼容性有较高要求的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的固件存储,例如PLC模块、数控机床和传感器节点,这些设备依赖稳定的程序代码长期运行而无需频繁更新。在通信领域,该芯片可用于调制解调器、路由器和交换机等设备的启动引导程序(Bootloader)存储,确保设备上电后能正确加载操作系统或初始化配置。
此外,在消费类电子产品中,如老式游戏机、电子琴、家用电器控制器等,AM27C256-200LC也被广泛用于存放主控程序和固定数据表。由于其DIP封装易于更换和升级,因此特别受到维修技术人员和DIY爱好者的青睐。在教育和科研领域,该芯片常被用于教学实验平台和嵌入式系统开发板,帮助学生理解存储器工作原理和程序烧录流程。
另外,在军事和航空航天等高可靠性要求的领域,尽管新型闪存已逐步取代EPROM,但在一些遗留系统维护或特定抗辐射设计中,AM27C256-200LC仍因其长期供货保障和稳定性而继续使用。总的来说,该芯片适用于所有需要可重复编程、长期数据保存和强环境适应性的应用场景,尤其是在无法使用现代闪存技术的旧架构系统中发挥着不可替代的作用。
AT27C256R-20PI
M27C256B-20F6X
SST39SF040-4C-PHE-T
MBM27C256KC-20LNE