型号：AM27C256-120DC
　　存储容量：256 Kbit (32K x 8)
　　电源电压：+5V ±10%
　　访问时间：120ns
　　编程电压：Vpp = 12.5V 或 21V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：Ceramic DIP (Dual In-line Package)
　　引脚数：28
　　待机电流：≤100μA
　　工作电流：≤75mA
　　输出高电平电压：≥2.4V
　　输出低电平电压：≤0.4V
　　输入高电平电压：≥2.0V
　　输入低电平电压：≤0.8V
　　兼容性：TTL兼容

AM27C256-120DC具备多项关键特性，使其在非易失性存储器领域中具有持久的应用价值。首先，其采用高性能CMOS技术制造，不仅保证了快速的数据访问能力（120ns存取时间），还显著降低了功耗。在待机模式下，典型电流仅为100μA，而在正常读取操作时的工作电流也不超过75mA，这种低功耗特性使其非常适合用于电池供电或对热管理要求较高的系统中。
　　其次，该器件拥有出色的可靠性与数据保持能力。制造商保证在正常环境条件下，编程后的数据可在芯片中保存超过10年而不丢失。即使在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）长期运行，仍能维持稳定的数据完整性。这一特性对于工业自动化设备、医疗仪器以及航空航天等关键应用至关重要。
　　再者，AM27C256-120DC支持标准的EPROM编程与擦除流程。用户可通过专用编程器施加12.5V或21V的Vpp编程电压进行字节级写入操作，而整个芯片的内容可通过透明窗口暴露于紫外线光源下进行批量擦除。这种可重复编程的能力使得它在原型开发、固件调试阶段非常实用，尤其适用于需要频繁更新代码但又不希望使用更复杂闪存系统的场合。
　　此外，该芯片具备良好的抗干扰能力和电气稳定性。所有输入/输出引脚均设计为TTL电平兼容，便于与多种微控制器、微处理器及逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换电路。其陶瓷DIP封装不仅提供了优异的散热性能，还能有效防止湿气渗透，提高器件在恶劣环境下的耐久性。同时，封装顶部设有石英窗口，方便进行紫外线擦除操作，是传统EPROM结构的典型代表。
　　最后，AM27C256-120DC遵循JEDEC标准引脚排列，确保与其他厂商同类产品（如Intel 27C256、AMD AM27C256等）之间的互换性和系统设计的通用性。尽管随着现代闪存技术的发展，此类EPROM已逐渐被NOR Flash等新型存储器取代，但在一些维护老旧设备、教育实验或特定军工项目中，AM27C256-120DC仍然发挥着不可替代的作用。

AM27C256-120DC主要应用于需要可靠非易失性程序存储的各类电子系统中。常见用途包括工业控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表；在通信设备中，用于存储启动代码、配置参数或协议栈程序，如调制解调器、路由器和交换机等早期网络设备。
　　此外，该芯片也广泛用于消费类电子产品和家用电器的控制模块，尤其是在20世纪90年代至21世纪初的电视机、录像机、音响系统和微波炉中作为主控MCU的外挂程序存储器。由于其支持多次擦写，因此特别适合产品开发与调试阶段，工程师可以反复烧录不同版本的程序以验证功能。
　　在教育与科研领域，AM27C256-120DC常被用于微机原理、单片机实验和数字电路教学实验平台中，帮助学生理解存储器的工作机制、地址译码、总线时序以及EPROM编程过程。其直观的紫外线擦除方式也有助于学习非易失性存储技术的基本概念。
　　另外，在军事、航空和航天等高可靠性要求的领域，部分老旧系统仍在使用基于该芯片的设计，因其经过长期验证、稳定性高且不受现代供应链波动影响。即使在当前，一些维修站或备件库仍需采购此类器件以维持旧有设备的运行。

M27C256B-12F1
　　Intel 27C256BN-12
　　SST39SF040-45-4I-M2KE
　　AT27C256R-12JI