型号：AM27C2048200DC
　　制造商：AMD
　　存储容量：2 Mbit (256K × 8)
　　封装类型：DIP 或 PLCC（依据具体后缀）
　　访问时间：200 ns
　　工作电压：+5V ± 10%
　　编程电压：+12.5V 或 +21V（依据版本）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装引脚数：32 引脚
　　接口类型：并行
　　擦除方式：紫外线擦除（典型波长253.7nm，曝光时间约15-20分钟）
　　写入寿命：可重复编程次数通常为100次以上
　　数据保持时间：10年以上（典型值）
　　输出驱动能力：可驱动TTL负载
　　输入电平兼容性：TTL/CMOS 兼容

AM27C2048200DC具备多项关键特性，使其在传统EPROM应用中表现出色。首先，其200ns的快速存取时间确保了在高速微处理器系统中的高效运行，尤其适用于8位和16位CPU架构，如Intel 8086、8051系列或Motorola 68K系列。该器件在读取模式下功耗极低，典型静态电流仅为30mA，动态功耗随频率上升而增加，但仍优于早期的NMOS EPROM技术。其次，芯片支持两种编程模式：常规编程和批量编程，编程脉冲宽度通常为100μs，编程电压VPP可选择+12.5V或+21V，具体取决于制造批次和版本，用户需参考数据手册确认。此外，AM27C2048内置上电复位电路，确保在电源启动过程中不会误触发编程或读取操作，提高了系统的启动可靠性。
　　该芯片具有高抗干扰能力和良好的噪声抑制性能，输入端带有施密特触发器设计，增强了信号完整性，特别适用于工业环境中的电磁干扰（EMI）较强的应用。其封装顶部设有石英窗口，允许通过紫外线光源进行非接触式擦除，擦除后所有位恢复为'1'状态，随后可通过编程器将所需数据写入。数据保持能力长达10年以上，在正常存储条件下（避免强光直射和高温高湿），信息不易丢失。AM27C2048还具备多重保护机制，防止意外写入或误编程，例如通过VPP电压监控和地址锁存机制确保只有在正确时序下才能执行编程操作。最后，该器件符合多项工业标准，如JEDEC标准，确保与其他厂商产品的互换性和系统集成的便利性。

AM27C2048200DC广泛应用于多种需要可靠非易失性程序存储的领域。在工业控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表中存储固件和启动代码。在通信设备中，该芯片用于调制解调器、路由器和交换机的引导ROM，确保设备在断电后仍能保留基本操作程序。消费类电子产品如老式打印机、复印机和音响系统也采用此类EPROM来存储BIOS或操作界面程序。此外，在军事和航空航天领域，尽管逐步被更现代的存储器替代，但在一些经过认证的遗留系统中仍继续使用AM27C2048，因其长期供货记录和高可靠性得到认可。
　　教育和研发领域也是其重要应用场景之一。由于其结构简单、易于理解，AM27C2048常被用于电子工程教学实验中，帮助学生掌握存储器原理、地址译码和编程过程。同时，在原型开发阶段，工程师可利用其可重复擦写特性快速迭代固件代码，无需依赖一次性编程器件（OTP）。测试设备和仪器仪表中也常见该芯片的身影，用于存储校准数据、测试程序和用户配置信息。尽管当前主流趋势转向串行Flash和EEPROM，但在并行接口需求高、对成本敏感且无需频繁更新的场合，AM27C2048200DC依然具备不可替代的价值。

SST39SF020A
　　M27C2048
　　MBM27C2048
　　HY27C2048