容量：128 Kbit (16K x 8)
　　供电电压：+4.5V 至 +5.5V
　　访问时间：200 ns
　　封装类型：28-pin DIP (Dual In-line Package)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C (商业级)
　　编程电压：+12.5V ± 0.5V
　　读取电流（典型值）：40 mA
　　待机电流（典型值）：100 μA
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：8个LSTTL负载
　　擦除方式：紫外线擦除（约15-20分钟暴露于253.7nm UV光下）
　　编程脉冲宽度：50 μs（最大）
　　耐久性：可承受超过1000次擦写周期
　　数据保持时间：大于10年（在正常存储条件下）

AM27C128A-2DC具备多项关键特性，使其在EPROM产品线中表现出色。首先，其200ns的快速访问时间确保了在高频系统总线环境下仍能稳定运行，适用于早期8位和16位微处理器系统，如Z80、8086、68000等架构平台。其次，该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速性能的同时有效降低了功耗，特别是在待机状态下电流消耗仅为100μA，显著提升了系统的整体能效表现。这种低功耗特性对于电池供电或散热受限的应用尤为重要。此外，器件内置的地址锁存和输出三态缓冲功能，使其可以直接挂接在共享数据总线上，无需额外的外围逻辑控制电路，简化了系统设计并减少了PCB布局复杂度。
　　另一个重要特性是其出色的抗干扰能力和稳定性。AM27C128A-2DC具有宽裕的电压容限（4.5V–5.5V），可在电源波动较大的环境中可靠工作。同时，其TTL电平兼容性使得它能够无缝对接大多数通用逻辑电路和微控制器系统，无需电平转换器即可实现即插即用。该芯片还配备了可靠的编程机制，需在Vpp引脚施加+12.5V编程电压才能写入数据，防止误编程导致的数据损坏。编程过程中支持逐字节写入，且具备错误检测反馈机制，允许编程器验证写入结果的准确性。
　　从物理结构上看，AM27C128A-2DC顶部设有石英窗口，允许用户通过紫外线照射彻底擦除芯片内容，这是传统EPROM区别于现代EEPROM和Flash的关键特征。这一设计虽然增加了封装成本和体积，但也赋予了开发者极大的灵活性，尤其适合开发调试阶段频繁修改固件的场合。此外，该器件经过严格的老化测试和可靠性验证，能够在恶劣工业环境下长期稳定运行，具备较强的抗静电（ESD）能力和温度适应性。这些综合特性使AM27C128A-2DC成为上世纪末至本世纪初广泛应用的经典存储解决方案之一。

AM27C128A-2DC主要用于需要非易失性程序存储的各类电子系统中。典型应用包括工业控制系统中的PLC固件存储、通信设备的引导程序（Bootloader）存放、测试仪器内的校准数据保存以及老式计算机和游戏机的BIOS芯片。由于其可重复擦写的特性，该器件也常用于研发和教学环境中，作为学习微处理器系统架构、汇编语言编程和嵌入式开发的理想载体。在维修领域，AM27C128A-2DC被广泛用于替换老化或损坏的原始EPROM芯片，尤其是在维护Legacy设备时不可或缺。此外，该芯片还应用于军事和航空航天领域的部分老旧系统升级与备件替换，因其经过长期验证的高可靠性而受到信赖。在自动化设备、数控机床和电梯控制系统中，该芯片用于存储固定的控制逻辑和操作指令。由于其DIP封装易于手工焊接和更换，特别适合小批量生产或原型开发项目。即使在当前Flash主导的时代，AM27C128A-2DC仍然在特定场景下发挥作用，例如当系统要求绝对不可变的只读代码存储且不希望存在意外改写风险时，EPROM的物理擦除机制反而成为一种安全优势。因此，该芯片不仅承载着历史价值，也在持续服务于某些专业和技术怀旧市场。

M27C128A-2F1
　　NM27C128AIJL
　　Intel 27C128