时间：2025/9/30 15:24:51
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AM27C1024155DC是一款由AMD（Advanced Micro Devices）生产的高性能、低功耗的5V CMOS 1兆位（128K x 8）紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件属于AM27C系列，专为需要高可靠性和长期数据保存的应用而设计。AM27C1024采用标准的28引脚DIP（双列直插式封装）或PLCC（塑料引线芯片载体）封装形式，具体型号中的'DC'通常表示其为DIP封装版本。该芯片通过紫外线照射窗口进行批量擦除，并使用专用编程器进行编程，适用于固件存储、嵌入式系统引导程序、工业控制程序代码存储等场景。
AM27C1024155DC中的'155'表示其最大访问时间为155纳秒，适合中高速度要求的应用场合。该器件具有高噪声抗扰度和输出驱动能力，能够直接驱动TTL逻辑电路，简化了系统设计。此外，其内部采用CMOS技术制造，在保证性能的同时显著降低了静态功耗，提升了能效表现。AM27C1024支持标准的JEDEC EPROM编程规范，兼容大多数通用EPROM编程器，方便用户进行开发与维护。尽管随着闪存技术的发展，此类并行接口EPROM在新设计中逐渐被替代，但在工业设备升级、老旧系统维护及特定军事/航空领域仍具有重要应用价值。
制造商：AMD
产品类别：EPROM（可擦除可编程只读存储器）
存储容量：1 Mbit (128K x 8)
电源电压：5V ±10%
访问时间：155 ns
工作温度范围：0°C 至 +70°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：28-pin DIP (Dual In-line Package)
编程电压：VPP = 12.5V 或 21V（取决于编程模式）
输入逻辑电平：TTL 兼容
输出逻辑电平：TTL 兼容
封装宽度：0.6英寸（DIP）
窗口类型：石英窗（用于紫外线擦除）
擦除方式：紫外线曝光（典型波长253.7nm，能量≥15W-sec/cm2）
数据保持时间：典型值大于10年
编程电流：最大50mA（典型编程条件下）
AM27C1024155DC具备出色的电气特性和可靠性设计，能够在宽温度范围内稳定运行，适用于恶劣工业环境下的长期部署。其155ns的快速访问时间使其能够满足多种中高速微处理器系统的时序需求，例如8086、80286、68000等经典CPU架构。芯片内部结构采用高性能浮栅CMOS技术，不仅实现了高密度存储单元集成，还大幅降低了待机状态下的静态电流消耗，典型待机电流仅为100μA，显著优于早期NMOS工艺的EPROM器件。
该器件具备强大的输出驱动能力，每个I/O引脚可直接驱动一个TTL负载，无需额外缓冲器即可连接到系统总线，简化了外围电路设计。同时，它支持两种编程模式：常规12.5V VPP编程和高压21V VPP编程，增强了与不同编程设备的兼容性。片内地址锁存和数据锁存机制确保了在复杂电磁环境中仍能保持稳定的读写操作。
AM27C1024155DC具有优异的抗干扰性能，输入端内置施密特触发器，提高了对噪声信号的抑制能力，有效防止误触发。其封装顶部设有透明石英窗口，允许用户通过紫外线光源对芯片内容进行完全擦除，便于反复开发调试。此外，该芯片符合JEDEC标准引脚排列，便于替换其他厂商同规格EPROM产品。即使在断电情况下，信息也能长期保存（通常超过10年），非常适合用于关键系统固件的非易失性存储需求。
AM27C1024155DC广泛应用于各类需要可靠非易失性程序存储的电子系统中。典型应用场景包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）固件存储、通信设备的启动引导程序（Bootloader）存放、测试测量仪器的功能代码固化、老式计算机系统的BIOS存储以及军事和航空航天领域的嵌入式模块升级。由于其TTL兼容输出和并行接口设计，该芯片特别适用于基于8位或16位微处理器的传统架构系统，如使用Intel 8086/8088、Motorola 68000系列CPU的工控机和终端设备。
在研发和维修领域，AM27C1024155DC因其可重复擦写特性而成为原型验证阶段的理想选择。工程师可以通过编程器快速烧录新版本固件，并通过紫外线灯擦除后重新编程，实现高效的迭代开发。此外，在一些不支持现代串行Flash或无法进行在线编程（ISP）的老式设备中，该EPROM仍是唯一可行的升级手段。
尽管目前多数新设计已转向使用EEPROM或Flash存储器，但由于AM27C1024155DC具有良好的长期供货稳定性、高抗辐射能力和极端环境适应性，仍在航空航天、铁路信号系统、医疗设备维护等领域持续使用。此外，一些复古计算爱好者也常使用该芯片来复刻经典计算机或游戏机系统，以还原原始硬件行为。
M27C1024-155DC
TC571000AP-155
MBM27C1024-155
