型号：AM27C1024-200DI
　　制造商：AMD
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大访问时间：200 ns
　　编程电压：12.5V (Vpp)
　　读取模式电流：典型值 40 mA
　　待机电流：典型值 100 μA
　　封装类型：Ceramic DIP (Dual In-line Package)
　　引脚数：32
　　擦除方式：紫外线擦除（UV-EPROM）
　　编程方法：通过编程器施加脉冲电压
　　数据保持时间：≥ 10 年（典型）
　　写入耐久性：可重复编程次数 ≥ 1000 次

AM27C1024-200DI具备多项关键特性，使其成为传统EPROM应用中的可靠选择。首先，其128K × 8位的组织结构提供了充足的程序存储空间，适用于固件存储、启动代码（Boot Code）以及常驻内存的操作系统模块等用途。该芯片采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机模式下仅消耗约100微安电流，有助于延长电池供电系统的运行时间并减少热损耗。其200ns的快速存取时间确保了在较高速度的微处理器系统中仍能实现无缝接口，避免总线等待周期过长导致的性能瓶颈。此外，该器件具有出色的抗辐射和抗噪声能力，能够在电磁干扰较强的工业环境中稳定运行。
　　另一个重要特性是其高可靠性和长期数据保持能力。得益于高质量的浮栅晶体管结构和密封陶瓷封装，AM27C1024-200DI在正常存储条件下可保证数据保存超过10年，即使在频繁读取操作下也不会影响数据完整性。该芯片支持标准的JEDEC EPROM编程规范，兼容市面上大多数通用编程器，极大地方便了生产和维修过程中的烧录与重编程操作。同时，其陶瓷DIP封装不仅具备优异的热稳定性，还允许用户通过石英窗口进行多次紫外线擦除，便于开发阶段反复调试和修改固件内容。
　　该器件还具备良好的输入/输出电平兼容性，可直接与TTL和5V CMOS逻辑电路接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。内部设有上电复位保护机制，防止在电源不稳定时发生误读或误写操作。尽管作为一次性编程前需擦除的非易失性存储器，AM27C1024不具备EEPROM或Flash那样的电擦除功能，但其成熟的技术、稳定的性能和广泛的行业支持使其在特定领域依然具有不可替代的价值。

AM27C1024-200DI广泛应用于多种需要非易失性程序存储的场合。在工业控制系统中，它常用于存储PLC（可编程逻辑控制器）的固件、HMI（人机界面）的显示程序以及各类自动化设备的启动代码。在通信设备中，该芯片可用于存储调制解调器、路由器或交换机的引导程序，确保设备在断电后仍能正确加载初始配置。在消费电子产品如老式游戏机、电子琴、打印机和传真机中，AM27C1024被用来存放主控程序和字符字库，因其大容量和稳定性而受到青睐。
　　在计算机外围设备领域，该芯片常见于早期的ISA或PCI扩展卡中，用于BIOS存储或设备初始化代码。科研仪器和测试测量设备也常采用此类EPROM来保存校准数据和操作流程，确保每次开机都能恢复到预设状态。此外，在军事和航空航天等高可靠性要求的领域，由于陶瓷封装的AM27C1024具备较强的抗环境应力能力，因此也被用于某些老旧但仍在服役的系统中。尽管现代设计已逐渐转向使用Flash存储器，但在维护、维修和替换原有系统时，AM27C1024-200DI仍然是关键的备件之一。其紫外线擦除特性也使其适用于教学实验和研发原型开发，便于学生和工程师反复修改和验证程序代码。

M27C1024-200VI
　　SST39SF040-200-4C-PHE