制造商：AMD
　　产品系列：AM27C
　　存储容量：1 Mbit
　　存储结构：128K x 8
　　工艺技术：CMOS
　　封装类型：Ceramic DIP (Dual In-line Package)
　　引脚数：32
　　最大访问时间：175 ns
　　工作电压范围：4.5V ~ 5.5V
　　编程电压（Vpp）：+12.5V 或 +21V（根据编程模式）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级，视具体版本而定）
　　封装标记：AM27C1024-175DC
　　擦除方式：紫外线（UV）擦除
　　数据保持时间：典型值大于10年
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：可直接驱动TTL负载

AM27C1024-175DC具备多项关键特性，使其在传统EPROM应用领域中表现优异。首先，其128K x 8的存储结构提供了充足的程序存储空间，适用于中等规模的固件存储需求，例如工业控制器、通信模块、测试设备和老式计算机系统。采用CMOS工艺不仅保证了高速读取性能（最大175ns访问时间），还显著降低了静态功耗，尤其在待机模式下电流可低至数微安，这对电源受限的应用场景尤为重要。该芯片完全兼容TTL电平，能够无缝集成到基于TTL逻辑的系统中，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　其次，AM27C1024-175DC支持标准编程算法，并可通过通用EPROM编程器进行烧录。编程电压Vpp可选择+12.5V或+21V，提升了与不同编程设备的兼容性。器件内部集成了软件ID识别功能，允许主机系统通过发送特定地址序列（如：读取地址5555h为AAh，2AAAh为55h，5555h为90h）来获取制造商代码（01h代表AMD）和设备代码（CCh代表AM27C1024），从而实现自动化检测与配置，避免人工误判。这一特性在多器件混合使用的系统中尤为实用。
　　再者，陶瓷DIP封装（DC）赋予该芯片优异的热稳定性和机械强度，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适合恶劣工业环境使用。其窗口式封装设计允许用户在不更换芯片的前提下多次擦除和重编程，提高了开发调试效率。同时，该器件具有出色的抗辐射和抗电磁干扰能力，确保在复杂电磁环境中数据的完整性。最后，AM27C1024系列产品遵循JEDEC标准引脚排列，与同类EPROM器件（如Intel 27C1024等）引脚兼容，便于系统升级或替代设计。尽管当前Flash存储器已逐步取代EPROM，但在某些特定维修、备件替换或老旧系统维护场景中，AM27C1024-175DC仍具有不可替代的价值。

AM27C1024-175DC主要应用于需要非易失性程序存储的工业电子设备和嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）固件存储，用于保存启动代码、控制逻辑和配置参数。在通信设备中，该芯片可用于存储协议栈代码或初始化程序，特别是在一些老式交换机、调制解调器或网络接口卡中仍有使用。此外，在测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）中，AM27C1024常被用来存放自检程序、校准数据和操作界面代码，确保设备断电后信息不丢失。
　　该芯片也广泛用于消费类电子产品和计算机外围设备的固件存储，例如打印机、绘图仪、键盘控制器和早期的PC BIOS模块。在教育和研发领域，由于其可重复擦写特性（通过紫外线擦除），AM27C1024-175DC常被用作教学实验平台中的程序存储介质，帮助学生理解EPROM的工作原理和嵌入式系统开发流程。在军事和航空航天领域，部分老旧系统仍在使用此类高可靠性陶瓷封装的EPROM器件，因其经过长期验证且具备良好的环境适应性。此外，在汽车电子维修工具、ECU仿真器和诊断设备中，该芯片可用于模拟或替换原厂固件，支持故障排查与程序更新。尽管现代设计更多采用Flash存储器，但在系统维护、备件替换和逆向工程中，AM27C1024-175DC仍扮演着重要角色。

M27C1024-175DCI
　　NM27C1024-175DC
　　SST39SF040-70-4I-PHE
　　Intel 27C1024-175DC