型号：AM27C010-150JC
　　制造商：AMD
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　工艺技术：CMOS
　　封装类型：28-pin Ceramic DIP with Window
　　工作电压：+5V ±10%
　　访问时间：150 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入/输出兼容性：TTL 兼容
　　编程电压：+12.5V 或 +21V（取决于编程模式）
　　待机电流：≤100 μA
　　工作电流：≤75 mA
　　擦除方式：紫外线（UV）曝光（约15–20分钟，波长253.7nm）
　　数据保持时间：>10 年（典型）

AM27C010-150JC的核心特性之一是其基于浮栅技术的非易失性存储单元结构，能够在断电后长期保留存储的数据信息，这使其成为早期嵌入式系统中固件存储的理想选择。每个存储单元由一个浮栅MOS晶体管构成，通过热电子注入机制在编程过程中将电荷注入浮栅，从而改变阈值电压以表示逻辑“0”或“1”。该过程需要在专用编程器上施加较高的编程电压（通常为+12.5V或+21V），确保可靠写入。在数据读取模式下，芯片仅需标准+5V电源供电，访问时间低至150ns，能够满足当时大多数微处理器系统的总线时序要求。此外，该器件具备较低的工作电流（典型值75mA）和极低的待机电流（不超过100μA），有助于降低系统整体功耗，特别适合对能耗有一定限制的应用场景。
　　另一个显著特性是其陶瓷DIP封装带有的石英窗口，允许用户通过短波紫外线（253.7nm）照射来擦除整个芯片内容，这一设计使得开发和调试阶段可以反复修改程序代码，极大提升了开发灵活性。然而，这也意味着在实际应用中必须注意避免暴露于强光或日光下，以防意外擦除。为了提高可靠性，AM27C010集成了输出使能和片选控制逻辑，支持多芯片系统中的地址空间扩展，并可通过简单的地址/数据总线连接与主流微处理器（如8051、68000等）无缝对接。此外，该芯片具有出色的抗静电能力（ESD保护）和噪声抑制性能，能够在工业环境中稳定运行。虽然现代系统更多采用电可擦除的Flash或EEPROM，但AM27C010-150JC因其成熟性、可预测性和无需复杂驱动算法的优势，在某些特定领域仍然保有一席之地。

AM27C010-150JC主要用于需要可靠、可重复编程的非易失性程序存储的应用场景。典型应用包括工业自动化控制系统中的PLC固件存储、老式通信设备的协议栈存储、测试测量仪器的引导程序存放以及各种嵌入式控制器的BIOS或监控程序存储。由于其直接TTL兼容输出和标准并行接口，该芯片常被用于与8位或16位微处理器（如Intel 8086、Motorola 68HC11等）配合使用的系统中，作为外部程序存储器扩展方案。此外，在教育和科研领域，该芯片也常用于教学实验平台，帮助学生理解EPROM编程、存储器映射和计算机启动过程的基本原理。在一些需要长期稳定运行且不频繁更新程序的设备中，例如医疗设备、航空电子设备的旧型号或军事装备维护中，AM27C010-150JC仍可能被继续使用。另外，由于其可通过紫外线擦除并重新编程的特性，该器件非常适合产品原型开发和小批量生产阶段的固件迭代，避免了定制掩膜ROM的成本和周期。尽管当前主流趋势已转向串行Flash和SPI接口存储器以节省空间和引脚数，但在某些对时序控制要求严格或无法使用现代存储接口的老式系统中，AM27C010-150JC依然是可行的替换或维修选项。