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AM2732B-300DC 发布时间 时间:2025/12/28 3:09:07 查看 阅读:25

AM2732B-300DC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)生产的32K位(4K x 8)紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该芯片属于AM2732B系列,采用标准的28引脚DIP(双列直插式封装),广泛应用于20世纪70年代末至90年代初的各类计算机系统、工业控制设备和嵌入式系统中。作为早期的非易失性存储器解决方案之一,AM2732B-300DC在断电后仍能保留数据,需通过紫外线照射芯片顶部的石英窗口来擦除内容,随后可使用编程器重新写入数据。该器件的工作电压为+5V,适用于多种微处理器系统的程序存储需求。其命名中的“-300”表示最大访问时间为300纳秒,体现了其在当时较快的读取速度。尽管现代系统已普遍采用闪存或EEPROM等更先进的技术,AM2732B-300DC仍在一些老旧设备维护、复古计算和教育实验中具有应用价值。

参数

制造商:AMD
  产品类别:EPROM
  存储容量:32Kbit (4K x 8)
  封装类型:28-DIP
  工作电压:+5V ±10%
  访问时间:300ns
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  封装形式:Ceramic DIP with Window
  编程电压:+25.5V 或 +12.5V(根据模式)
  引脚数:28
  接口类型:并行
  擦除方式:紫外线擦除(典型曝光时间约20分钟)
  数据保持时间:通常大于10年
  输出高电平电压:≥2.4V
  输出低电平电压:≤0.4V
  输入高电平电压:≥2.0V
  输入低电平电压:≤0.8V

特性

AM2732B-300DC具备稳定的并行接口设计,支持标准微处理器总线时序,能够直接与多种8位和16位微处理器(如Intel 8080、Zilog Z80、Motorola 6800等)无缝连接。其300ns的存取时间在当时属于较高性能水平,确保了程序执行的流畅性,尤其适用于对响应速度有一定要求的实时控制系统。芯片内部结构为4096个8位存储单元,组织为4K x 8格式,地址总线宽度为12位(A0-A11),数据总线为8位(D0-D7)。该器件采用CMOS与NMOS混合工艺制造,具备良好的噪声抑制能力和电气稳定性。
  一个显著特点是其可重复编程能力,用户可通过专用编程器施加高压脉冲进行写入操作,编程电压通常为+25.5V(Vpp),部分型号支持+12.5V编程模式以兼容不同编程设备。编程过程需要精确控制脉冲宽度和电压水平,以防损坏存储单元。擦除操作则依赖紫外线光源,波长通常为253.7nm,透过封装顶部的石英窗口照射芯片内部的浮栅晶体管,使电荷释放从而恢复初始状态。为防止误擦除,实际应用中常使用不透明标签覆盖窗口。
  AM2732B-300DC还具备良好的环境适应性和长期数据保持能力,在正常存储条件下,数据可保存超过10年。其陶瓷DIP封装不仅提供了优异的散热性能,还能有效防止湿气侵入,提高可靠性。此外,该芯片在抗电磁干扰方面表现良好,适合工业级应用环境。尽管不具备现代存储器的在线电擦除功能,但其简单、可靠的架构使其在特定场景下依然具有不可替代的价值。

应用

AM2732B-300DC曾广泛应用于早期的微型计算机系统中,用于存储BIOS、监控程序和固件代码。例如,在许多基于Z80或8085处理器的教学实验系统和工业控制器中,该芯片被用作主程序存储器。在通信设备中,它可用于存储协议处理代码或配置参数。此外,该器件也常见于数控机床、PLC(可编程逻辑控制器)、测试测量仪器和自动化仪表中,承担关键的启动和控制程序存储任务。
  由于其非易失性和可重复擦写特性,AM2732B-300DC也被用于开发和调试阶段的原型验证,工程师可以反复修改程序并烧录到芯片中进行测试。在教育领域,该芯片是学习存储器原理、微机接口技术和嵌入式系统设计的重要教学工具,帮助学生理解EPROM的工作机制和编程流程。目前,虽然已被更先进的闪存技术取代,但在维护老旧工业设备、修复经典计算机(如Apple II、TRS-80等)以及收藏级电子项目中,AM2732B-300DC仍有实际需求。同时,一些爱好者利用该芯片进行复古编程和硬件复刻项目,延续其技术生命力。

替代型号

27C32
  27C256
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