型号：AM25LS243DM
　　制造商：AMD
　　器件类型：三态输出八位透明D型锁存器
　　电路数量：3组独立锁存器（共8位）
　　输出类型：三态
　　技术工艺：CMOS
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　高电平输出电流：-15mA（典型值）
　　低电平输出电流：15mA（典型值）
　　传播延迟时间（tpd）：约25ns（典型值）
　　时钟到输出延迟：取决于负载条件
　　使能控制：低电平有效输出使能（OE）
　　输入电平兼容性：TTL兼容
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：20引脚 DIP 或 SOIC
　　功耗特性：静态电流低至几微安，动态功耗随频率增加而上升

AM25LS243DM的核心特性之一是其采用CMOS工艺实现的低功耗性能，相较于传统的双极型TTL器件如74LS243，其静态功耗显著降低，特别适合对电源效率要求较高的系统设计。在待机或非活动状态下，芯片的电流消耗极小，有助于延长电池供电系统的使用寿命。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围，支持从-55°C到+125°C的极端环境操作，使其能够广泛应用于军工、航空航天以及高温工业控制场合。这种高可靠性设计确保了器件在温度剧烈变化或长期运行中的稳定性。
　　该器件具备三态输出功能，允许多个设备共享同一总线而不产生冲突。通过低电平有效的输出使能（OE）引脚，用户可以灵活地控制输出状态，实现数据总线的多路复用与隔离。这一特性在微处理器系统中尤为重要，常用于地址锁存或数据路径切换。
　　AM25LS243DM还具有较强的驱动能力，每个输出引脚可提供高达±15mA的驱动电流，足以直接驱动多数TTL负载或PCB走线上的容性负载，减少了对外部驱动电路的需求。
　　此外，该芯片具备良好的抗噪声干扰能力，得益于CMOS结构的高输入阻抗和较大的噪声容限，能够在电磁环境复杂的系统中保持信号完整性。其传播延迟时间典型值为25ns，保证了在中高速数字系统中的及时响应，满足大多数实时控制需求。

AM25LS243DM广泛应用于需要高可靠性和低功耗的数字系统中。在军事和航空航天领域，由于其宽温工作能力和高稳定性，常被用于飞行控制系统、雷达信号处理模块以及卫星通信设备中的数据锁存与缓冲。
　　在工业自动化系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块设计，作为地址或数据总线的锁存单元，确保在复杂电磁环境中数据传输的准确性。同时，其三态输出结构便于构建多主控设备共享的通信总线架构。
　　在通信基础设施中，AM25LS243DM可用于基站控制板、交换机背板接口等场合，执行信号电平转换和总线隔离功能，提升系统的模块化程度和可维护性。
　　此外，在高性能计算设备和嵌入式系统中，该器件可用于微处理器与外设之间的接口电路，例如在早期的RISC架构处理器系统中用作地址锁存器，配合ALE（地址锁存使能）信号完成地址与数据的分离传输。
　　教育科研领域也常采用此类高稳定性逻辑芯片进行数字电路实验与原型开发，帮助学生理解锁存器、总线控制以及时序逻辑的基本原理。其DIP封装形式尤其适合在实验板上使用，便于焊接与调试。

SN74LS243N
　　74F243
　　IDT74FCT243APG