AM2148-35DC是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,在降低导通电阻的同时提升了开关速度和整体性能。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并具备较低的导通电阻,从而有效减少功耗并提高系统效率。
型号:AM2148-35DC
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):48V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总功耗(Ptot):150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
AM2148-35DC具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为4.5mΩ,这使其在高电流应用中表现出色,同时降低了功率损耗。
2. 高速开关能力,其栅极电荷较小,可以实现更快的开关速度,适合高频开关应用。
3. 耐热性能优越,工作温度范围宽广,可从-55℃到+175℃稳定运行。
4. 提供出色的浪涌电流能力,增强了系统的鲁棒性和可靠性。
5. 内置ESD保护电路,提高了器件的抗静电能力,减少了因静电引起的损坏风险。
6. 封装形式为标准TO-220,便于安装和散热设计。
AM2148-35DC适用于多种工业和消费电子领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 直流无刷电机(BLDC)驱动中的关键组件。
3. 各类负载开关应用,如汽车电子、家电设备中的负载切换。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. LED照明驱动电路中的功率调节元件。
6. 工业控制设备中的功率级转换模块。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800