AM2148-35DC 时间：2025/6/6 16:44:23 阅读：24

AM2148-35DC是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，在降低导通电阻的同时提升了开关速度和整体性能。
　　这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并具备较低的导通电阻，从而有效减少功耗并提高系统效率。

参数

型号：AM2148-35DC
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：48V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：35A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
　　总功耗(Ptot)：150W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

AM2148-35DC具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为4.5mΩ，这使其在高电流应用中表现出色，同时降低了功率损耗。
　　2. 高速开关能力，其栅极电荷较小，可以实现更快的开关速度，适合高频开关应用。
　　3. 耐热性能优越，工作温度范围宽广，可从-55℃到+175℃稳定运行。
　　4. 提供出色的浪涌电流能力，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
　　5. 内置ESD保护电路，提高了器件的抗静电能力，减少了因静电引起的损坏风险。
　　6. 封装形式为标准TO-220，便于安装和散热设计。

应用

AM2148-35DC适用于多种工业和消费电子领域，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 直流无刷电机（BLDC）驱动中的关键组件。
　　3. 各类负载开关应用，如汽车电子、家电设备中的负载切换。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
　　5. LED照明驱动电路中的功率调节元件。
　　6. 工业控制设备中的功率级转换模块。