AM2147-35DMB 时间：2025/12/28 3:32:13 阅读：12

AM2147-35DMB是一款高性能的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专为在微波和毫米波频段工作的无线通信系统设计。该器件由美国公司Avago Technologies（现为Broadcom Ltd.）生产，适用于需要高增益、低噪声和优良线性度的应用场景。AM2147-35DMB工作频率范围覆盖了大约31 GHz至36 GHz，使其非常适合用于点对点微波回传、毫米波通信链路、雷达系统以及5G通信基础设施中的高频段应用。
　　该芯片采用先进的GaAs工艺制造，具备良好的热稳定性和高频性能。封装形式为表面贴装型（Surface Mount Package），有助于在高频率下实现良好的阻抗匹配和信号完整性。其集成度高，内部通常包含多级放大结构和偏置电路，减少了外部元件数量，简化了系统设计。此外，AM2147-35DMB具有较高的可靠性，适合在严苛环境条件下长期运行。

参数

工作频率范围：31 GHz 至 36 GHz
　　典型噪声系数：1.6 dB
　　典型增益：35 dB
　　输出1dB压缩点（P1dB）：+10 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：≤2.0:1
　　电源电压：3.0 V
　　静态工作电流：45 mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：Die Form (裸芯片)
　　尺寸：约 1.4 mm × 0.9 mm × 0.1 mm

特性

AM2147-35DMB的核心优势在于其在毫米波频段提供的卓越低噪声性能与高增益特性的结合。该器件的典型噪声系数仅为1.6 dB，在31–36 GHz频带内能够有效放大微弱信号的同时引入极小的额外噪声，这对于远距离通信或高灵敏度接收系统至关重要。其高达35 dB的增益水平意味着可以在接收链路中减少后续放大级的数量，从而降低整体系统的复杂性和功耗。此外，+10 dBm的输出1dB压缩点表明该放大器具备良好的线性度，能够在处理较高功率信号时保持不失真，避免互调干扰，适用于高数据速率传输场景。
　　该LNA采用裸芯片（Die）形式提供，便于集成到高频模块或混合多芯片组件（MCM）中，特别适合使用倒装芯片（Flip-Chip）或引线键合（Wire Bonding）工艺的射频前端设计。这种封装方式最大限度地减少了寄生电感和电容，提升了高频响应性能。器件内部集成了优化的偏置网络，支持简单的直流馈电设计，用户仅需外接少量无源元件即可完成电路搭建。同时，其输入输出端口经过片内匹配设计，可在50欧姆系统中实现良好匹配，降低设计难度。
　　在环境适应性方面，AM2147-35DMB支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，确保在户外基站、工业设备等复杂环境中稳定运行。由于采用GaAs MMIC技术，该芯片还具备较强的抗辐射能力和长期可靠性，适合部署在关键通信基础设施中。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品环保要求。

应用

AM2147-35DMB广泛应用于高频无线通信系统中，尤其是在E波段（30–40 GHz）的点对点微波通信链路中作为接收前端低噪声放大器使用，能够显著提升系统灵敏度和链路预算。它也常用于5G移动通信基础设施中的毫米波基站接收模块，特别是在固定无线接入（FWA）和回传网络中发挥关键作用。此外，该器件适用于相控阵雷达、电子战系统、卫星通信终端以及测试测量设备等需要高频率、低噪声放大的场合。
　　在现代毫米波系统中，AM2147-35DMB可用于构建高性能的射频前端模块（FEM），配合混频器、本振源和功率放大器组成完整的收发单元。其裸芯片形式使其易于与其他MMIC器件共同集成于低温共烧陶瓷（LTCC）或印刷电路板（PCB）基板上，形成紧凑型毫米波模块。这类模块可被应用于智能交通系统（ITS）、自动驾驶雷达传感器、高速无线局域网（如WiGig）等领域。
　　由于其出色的电气性能和小型化特点，该器件也被广泛用于航空航天和国防领域的高频子系统中，例如无人机通信链路、机载雷达接收机和便携式通信设备。在科研领域，AM2147-35DMB同样可用于构建高精度的毫米波探测仪器和天文观测设备中的前置放大环节，助力科学家探索更高频段的电磁波应用潜力。