型号：AM20N06-90D
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：20A
　　脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　最大功耗（PD）：75W
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：9.0mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：13.5mΩ
　　阈值电压（Vth min）：2.0V
　　阈值电压（Vth max）：3.0V
　　输入电容（Ciss）：2380pF
　　输出电容（Coss）：580pF
　　反向传输电容（Crss）：100pF
　　栅极电荷（Qg typ @ 10V）：47nC
　　二极管正向电流（IS）：20A
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)

AM20N06-90D采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的最佳平衡。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为9.0mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。该器件在VGS=4.5V时仍能保持13.5mΩ的低RDS(on)，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合，如电池供电设备或采用PWM控制器的同步整流电路。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（典型值47nC），有助于减少驱动电路的能量消耗和开关延迟，从而提升高频开关应用中的整体效率。同时，其输入电容（Ciss）为2380pF，输出电容（Coss）为580pF，使得器件在高频工作条件下仍能保持稳定响应。反向传输电容（Crss）仅为100pF，有助于抑制米勒效应，提高抗噪声干扰能力，防止误触发。
　　AM20N06-90D具备出色的热性能，其封装采用TO-252形式，具有较大的焊盘面积，便于PCB散热设计。最大功耗可达75W，结温范围宽达-55°C至+175°C，确保器件在高温或恶劣环境条件下依然可靠运行。内置的体二极管具有38ns的快速反向恢复时间，适用于需要频繁反向电流导通的拓扑结构，如同步整流和H桥电机驱动。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。其栅源电压可承受±20V，提供了额外的驱动保护裕量。此外，产品符合RoHS和无卤素标准，支持绿色环保制造要求，适用于全球市场的各类电子设备。

AM20N06-90D广泛应用于多种电源管理系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的中等功率场景。常见应用包括同步降压转换器和DC-DC变换器，其中其低导通电阻和快速开关特性显著提升了转换效率，减少了发热问题，特别适用于服务器电源、笔记本电脑适配器和通信电源模块。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构，驱动直流电机或步进电机，其高电流承载能力和快速响应能力确保了电机运行的平稳性和控制精度。此外，在电池管理系统（BMS）中，AM20N06-90D可作为充放电控制开关，实现对电池组的高效管理与保护。
　　该器件也适用于负载开关和热插拔电路，能够快速接通或断开电源路径，防止浪涌电流对系统造成冲击。在太阳能逆变器、LED驱动电源和UPS不间断电源等工业与消费类设备中，AM20N06-90D凭借其高效率和高可靠性，成为理想的选择。其TO-252封装便于自动化贴装和焊接，适用于大规模生产环境。

AOT20N06L,AOZ5205N