型号：AM1340N-T1-PF
　　通道类型：P-Channel
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻RDS(on)@VGS=2.5V：70mΩ
　　导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：58mθ
　　栅极电荷（Qg）：9nC
　　输入电容（Ciss）：380pF
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　反向恢复时间（trr）：8ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN2x2-6L

AM1340N-T1-PF采用先进的TrenchFET工艺制造，具备出色的电气性能和热管理能力，特别适合用于低压直流电路中的高效功率开关。其核心特性之一是极低的导通电阻，在VGS = -4.5V条件下，典型RDS(on)仅为58毫欧姆，显著降低了导通损耗，提高了整体系统能效。即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V下，其RDS(on)也仅上升至70毫欧姆，展现出优异的低压驱动能力，兼容现代低电压逻辑控制器输出，无需额外电平转换即可直接驱动。
　　该器件具有较小的栅极电荷（Qg = 9nC），意味着在开关过程中所需的驱动能量极少，从而进一步降低动态损耗，提升高频开关应用下的效率表现。同时，输入电容Ciss仅为380皮法，有助于减少高频噪声耦合并提高系统的EMI兼容性。由于其快速的开关响应特性——开启延迟约7纳秒，关断延迟约15纳秒，使其非常适合用于需要快速启停控制的应用，例如负载开关、热插拔电源管理或LED背光调光等场合。
　　AM1340N-T1-PF还具备良好的体二极管性能，反向恢复时间（trr）短至8纳秒，有效抑制了反向恢复引起的电压尖峰和能量损耗，提升了在感性负载切换时的安全性和可靠性。器件符合RoHS环保标准，并采用无铅封装，支持回流焊工艺，适用于自动化SMT生产线。其DFN2x2-6L封装不仅体积小巧（2mm x 2mm），而且底部带有散热焊盘，可通过PCB布局实现高效的热传导，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。综合来看，这款P沟道MOSFET在小型化、低功耗与高性能之间实现了良好平衡，是现代便携式电子产品中理想的功率开关解决方案。

AM1340N-T1-PF广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中，典型使用场景包括便携式消费类电子设备中的电源开关、电池供电系统的负载切换、USB端口的过流保护与热插拔控制、DC-DC转换器的同步整流以及LED驱动电路中的通断调节。其优异的低压驱动能力和低导通电阻使其成为智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中电源路径管理的理想选择。此外，该器件也可用于工业传感器模块、无线通信模块以及物联网节点设备中的节能型开关控制，帮助延长电池续航时间并提升系统整体效率。

AON7406,AOZ5201P