型号：ALP029N-TLM
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：160A
　　脉冲漏极电流（IDM）：500A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：0.78mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.65mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：95nC
　　输入电容（Ciss）：10500pF
　　输出电容（Coss）：1700pF
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　阈值电压（Vth）：1.5V ~ 2.3V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSDS-8 (PowerDI 8080)

ALP029N-TLM采用AOS成熟的Trench MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = 10V时仅为0.65mΩ，在4.5V驱动条件下也仅为0.78mΩ，这使得器件在大电流应用中显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。该低RDS(on)特性特别适用于高电流密度场景，如服务器电源、笔记本电脑适配器和电动工具驱动电路。此外，其超低的栅极电荷（Qg = 95nC）和米勒电容（Crss）优化设计，有效减少了开关过程中的驱动损耗和能量损耗，从而提升了高频开关应用下的动态性能。
　　该器件具有出色的热性能，得益于其PowerDI 8080封装结构，底部大面积铜片可高效将热量传导至PCB，增强散热能力，确保在高负载工况下仍能保持较低的结温。同时，该封装支持双面散热设计，进一步提升热管理灵活性。器件还具备高雪崩耐量和优良的SOA（安全工作区），可在瞬态过载或短路条件下提供更强的鲁棒性，增强了系统可靠性。此外，ALP029N-TLM的阈值电压典型值为2.0V左右，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动，便于与各种控制器和驱动IC直接接口，无需额外电平转换电路。
　　器件通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其具备在严苛环境条件下长期稳定工作的能力，适用于车载电源系统。同时，其无铅、无卤素的环保封装符合现代绿色电子产品的制造要求。内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 28ns），可减少反向恢复电荷（Qrr），降低在同步整流或感性负载切换中的能量损耗和EMI噪声。综合来看，ALP029N-TLM在导通性能、开关速度、热管理和可靠性方面均表现出色，是高端功率应用中的理想选择。

ALP029N-TLM广泛应用于需要高效率和高电流密度的电源系统中。典型应用场景包括大电流DC-DC降压变换器，尤其是在VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源中用于CPU或GPU供电；在同步整流型AC-DC和DC-DC电源拓扑中作为主开关或同步整流管使用，显著提升转换效率；还可用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电调以及工业电机驱动器中的功率开关环节。由于其优异的热性能和紧凑封装，该器件特别适合空间受限但功率密度要求高的便携式设备和高集成度电源模块。此外，在电信设备、服务器电源和网络基础设施中，ALP029N-TLM可用于实现高效、高可靠性的电源转换方案。在车载电子领域，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源系统中，其汽车级认证和高可靠性也使其成为优选器件。

AOTL029N, AON6240, CSD17313Q5, FDMC8612, IPD95N03S