ALM-2712-TR1G 时间：2025/9/16 12:35:29 阅读：6

ALM-2712-TR1G 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.9A（@25°C）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 54mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压 VGS(th)：1V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：SOT-26（SC-74A）
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：1.4W

特性

ALM-2712-TR1G 具备多项优异特性，首先其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构技术，使得在保持小尺寸的同时具备较高的电流处理能力。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　在封装方面，SOT-26 封装是一种小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的散热性能。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关电源应用，如同步整流器和DC-DC转换器。
　　其栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V至10V），便于与多种控制器或驱动IC配合使用。同时，器件具备较高的耐用性和可靠性，适合工业级和消费类电子产品的电源管理系统。

应用

ALM-2712-TR1G 主要应用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及各种低电压高效率的开关电源设计中。由于其小型封装和高性能，该器件也广泛用于便携式电子产品、智能穿戴设备、物联网（IoT）设备和工业控制设备中的电源管理模块。
　　在DC-DC转换器设计中，ALM-2712-TR1G 可作为高边或低边开关使用，实现高效的电压转换。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源的通断，以提高系统效率并减少待机功耗。此外，在电机控制和LED驱动等应用中，ALM-2712-TR1G 也能提供良好的性能表现。