类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：-20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　最大连续漏极电流(Id)：-1.8A
　　导通电阻(Rds(on))：160mΩ @ Vgs = -4.5V，240mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TSOT26

ALM-1412-TR2G 具有多个关键特性，使其在电源管理和负载开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下功率损耗最小，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持 -20V 的最大漏源电压，适用于多种低压电源管理场景，如电池供电设备和 DC-DC 转换器。此外，ALM-1412-TR2G 采用 TSOT26 小型封装，节省 PCB 空间，非常适合高密度设计。
　　在栅极驱动方面，该器件在 -4.5V 和 -2.5V 栅极电压下均能提供良好的导通性能，适用于多种驱动电路设计。其最大连续漏极电流为 -1.8A，能够支持中等功率负载的控制。同时，ALM-1412-TR2G 的热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C 至 150°C），确保在各种环境下的可靠性。
　　该器件还具备良好的静电放电（ESD）保护能力，增强了在实际应用中的耐用性。此外，ALM-1412-TR2G 的封装设计符合 RoHS 环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品制造。

ALM-1412-TR2G 广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高效电源管理和负载控制的场景。其典型应用包括便携式电子设备的电源开关、电池管理系统中的高侧开关、DC-DC 转换器中的同步整流器以及负载开关电路。由于其小型封装和高性能特性，ALM-1412-TR2G 特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等空间受限的电子产品。
　　此外，该器件还可用于工业控制系统中的低电压功率控制电路、LED 驱动器、电源分配系统和热插拔电路。其良好的热稳定性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子和工业环境中的电源管理应用。

Si2301DS, DMG2305UX-7, ZXMP2010E6TC, FDN340P