时间：2025/9/24 1:21:49
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ALM-11236-TR1G是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能、低电压、低功耗的N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效率的电源管理应用而设计，广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关以及各种需要紧凑型封装和高效能开关性能的场合。ALM-11236-TR1G采用先进的TrenchFET技术制造，确保了在低栅极驱动电压下仍能实现极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET采用1.2mm x 1.2mm的小型DFN1212封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合对尺寸要求极为严格的便携式设备设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素特性，满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。
型号：ALM-11236-TR1G
制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：4.1A（在TC=70°C时）
最大脉冲漏极电流（IDM）：12A
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻RDS(on)：15mΩ（@ VGS = 4.5V）
导通电阻RDS(on)：19mΩ（@ VGS = 2.5V）
导通电阻RDS(on)：22mΩ（@ VGS = 1.8V）
栅极电荷（Qg）：典型值3.5nC（@ VGS = 4.5V）
输入电容（Ciss）：典型值300pF
开启延迟时间（td(on)）：约5ns
关断延迟时间（td(off)）：约8ns
阈值电压（Vth）：0.6V ~ 0.9V
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1212 (1.2mm x 1.2mm)
ALM-11236-TR1G的核心优势在于其采用了先进的TrenchFET技术，这种结构优化了载流子传输路径，显著降低了导通电阻，从而在低电压应用中表现出色。即使在1.8V或2.5V的低栅极驱动电压下，该器件仍能保持较低的RDS(on)，确保在电池供电系统中维持高效率。其超小型DFN1212封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效提升热传导能力，有助于在高密度布局中实现良好的散热性能。该MOSFET具备快速开关能力，输入电容和栅极电荷均处于较低水平，减少了驱动损耗和开关延迟，适用于高频开关电源设计。此外，器件具有较高的雪崩耐量和良好的ESD保护能力，增强了系统在瞬态事件中的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围使其适用于工业级和消费类多种应用场景。所有电气参数均经过严格测试，确保批次一致性与长期可靠性，特别适合自动化贴装生产线使用。
值得一提的是，ALM-11236-TR1G在低静态电流和动态损耗之间实现了良好平衡，对于延长移动设备电池寿命至关重要。其低阈值电压特性允许使用低压逻辑信号直接驱动，简化了控制电路设计，减少了对外部驱动器的需求。器件的封装设计支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线，提高了制造效率。综合来看，ALM-11236-TR1G是一款集小型化、高效率、高可靠性于一体的先进功率MOSFET，能够满足现代便携式电子产品对高性能电源开关的严苛要求。
ALM-11236-TR1G广泛应用于各类便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等，用于电池电源管理、负载开关和电源路径控制。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为同步整流开关，显著提升转换效率，减少发热。它也常用于USB电源开关、热插拔控制器和过流保护电路中，凭借其低导通电阻和快速响应能力，有效降低电压降并提高系统稳定性。此外，在电机驱动、LED背光驱动和传感器电源管理模块中，ALM-11236-TR1G也能发挥出色的开关性能。由于其小型封装和高集成度特点，特别适合用于空间受限的高密度PCB设计。工业手持设备、医疗监测仪器和物联网终端设备也广泛采用该器件以实现高效节能的电源管理方案。
AOZ5209NQI-02
SI2302DDS-T1-E3
FDMT66713
