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AL14SEB120N 发布时间 时间:2025/9/4 0:08:40 查看 阅读:11

AL14SEB120N 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):120V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为40mΩ(Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220

特性

AL14SEB120N 具备优异的导通和开关性能,其低导通电阻可显著降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,实现更低的开关损耗和更高的热稳定性。此外,它还具有较高的耐压能力和良好的短路耐受性,适用于严苛的工作环境。其封装形式(TO-220)提供良好的散热性能,确保器件在高功率应用中的稳定运行。

应用

AL14SEB120N 常用于各种高功率电子设备,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和可靠性,它在新能源汽车、太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。

替代型号

TK14A50D, IRF1404, Si4410BDY

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