时间：2025/9/4 0:08:40
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AL14SEB120N 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器等应用场景。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：120V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：14A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为40mΩ（Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220
AL14SEB120N 具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，实现更低的开关损耗和更高的热稳定性。此外，它还具有较高的耐压能力和良好的短路耐受性，适用于严苛的工作环境。其封装形式（TO-220）提供良好的散热性能，确保器件在高功率应用中的稳定运行。
AL14SEB120N 常用于各种高功率电子设备，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和可靠性，它在新能源汽车、太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。
TK14A50D, IRF1404, Si4410BDY
